【技术实现步骤摘要】
ー种小分子半导体及包含其的半导体组合物和电子设备
技术介绍
印刷有机电子设备(POE, printed organic electronics)的制作受到广泛关注，因为这种设备具有超低成本，可溶液处理，且具有机械耐久性和结构柔韧性。POE之一，印刷薄膜晶体管(TFT)，近年来受到较多关注，其有望成为硅技术的低成本替代技术而用于例如有源矩阵液晶显示器(LCD, active-matrix liquid crystal display)、有机发光二极管、电子纸、射频识别标签(RFID)、光伏电池(photovoltaics)等应用中。TFT通常包括一个支撑基板、三个导电电极(栅电极、源电极和漏电极)、一个通道半导体层和一个用于使栅电极与半导体层分隔的电绝缘栅介电层。需要改进已知TFT的性能。性能可通过至少两种性质来评价迁移率和开/关比(on/off ratio)。迁移率以cm2/V · sec为单位进行測定；高迁移率是有利的。开/关比是指TFT在关闭状态时漏过的电流量与TFT在打开状态时通过的电流之比。一般地，更希望得到较高的开关比。有机薄膜晶体管(OTFT)可用于诸如射频识别(RFID)标签和显示器(如告示牌显示器、阅读器和液晶显示器)的背板开关电路等应用中，其中高开关速度和/或高密度并非必不可少的。它们还具有诱人的机械性能，如可被物理压缩、轻质和柔性。OTFT的半导体层可以使用低成本的溶液基构图和沉积技术来制作，所述技术如旋涂、溶液流延、浸涂、模板/丝网印刷、柔性版印刷、凹版印刷、胶版印刷、喷墨印刷和微接触印刷等。为了能够在制作薄膜晶体管电路时使用这些溶液基方法...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.08 US 13/043,2061.式(I)的小分子半导体2.权利要求I的小分子半导体，其中所述小分子半导体具有式(I-a)到式(I-d)之一的结构3.权利要求2的小分子半导体，其中式(I-a)到(I-d)中R1和R2独立地选自氢、烷基、氰基和卤素。4.权利要求3的小分子半导体，其中所述小分子半导体具有式(II)结构5.一种半导体组合物，包括 一种聚合物粘合剂；和ー种式(1)的小分子半导体6.权利要求5的半导体组合物，其中所述小分子半导体具有式(I-a)到式(I-d)之一的结构， 其中R1、R2、R3和R4独立地选自氢原子、被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、被取代的或未取代的杂芳基、烧氧基、烧硫基...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·维格勒斯沃斯，吴贻良，柳平，胡南星，
申请(专利权)人：施乐公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。