场效应晶体管制造技术

一种场效晶体管包含一基板（３０）具有一第一传导类型之一掺杂，一漏区（５０，５２，５４）在基板（３０）中具有与第一传导类型相反之一第二传导类型之一掺杂，一源区（４０）于基板（３０）中与漏区（５０，５２，５４）侧向间隔且具有第二传导类型之一掺杂，以及一沟道区（９８）于基板（３０）中，其配置于源区（４０）以及漏区（５０，５２，５４）之间。在基板（３０）邻接漏区（５０，５２，５４）之一部分中，具有第二传导类型之一掺杂的一区域（１０２，１０４），其系被连接到漏区（５０，５２，５４），系被安排以使在区域中具有第一传导类型以及第二传导类型之交替区域被配置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于具有漏极以及基板之间降低的电容结合之一场效晶体管。
技术介绍
对于大量讯号施加，LDMOS晶体管或者LDMOS场效晶体管(LDMOS＝侧向扩散金属氧化物半导体)系被使用，例如对于基地之功率放大器，手持，行动电话等等。LDMOS场效晶体管之输出电容系依赖于漏极电压或者一方面之漏极或漏区以及另一方面时常与一参考电位连接之基板之间的电压。图3系一概略的图标说明一垂直剖面由一传统的LDMOS场效晶体管来看。一掺杂的基底基板10包含一第一下表面12以及一第二上表面14。在下表面12，基底基板10包含一金属涂层16形成之背面接点。在基底基板10之另一表面14上，一p掺杂的磊晶层20系藉由一磊晶方法产制，例如藉由CVD磊晶(CVD＝化学气相沉积)。基底基板10以及磊晶层20一起形成一装置基板30而具有一表面32，其系同时为磊晶层20之一表面而远离基底基板10。在磊晶层20中或之上，一场效晶体管或其半导体功能组件系被配置。一源区40藉由一n+掺杂区域在或者直接形成于表面32之下。一p掺杂的提高区42邻接面向远离表面32之源区40之面。一p掺杂的主体区44，其具有，无论如何，与提高区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效晶体管包含：一基板（３０）具有一第一传导类型之一掺杂；一漏区（５０，５２，５４）于基板（３０）中具有与该第一传导类型相反之一第二传导类型之一掺杂；一源区（４０）于基板（３０）中与该漏区（５０，５２，５４）横向 间隔且具有该第二传导类型之一掺杂；一沟道区域（９８）于基板（３０）中被配置在该源区（４０）以及该漏区（５０，５２，５４）之间；以及一区域（１０２，１０６）具有该第二传导类型之一掺杂且被连接至该漏区（５０，５２，５４）以及被配 置在该基板（３０）相邻该漏区（５０，５２，５４）之一部份以使具有该第一传导类型且...

【技术特征摘要】
DE 2003-3-11 10310552.21.一种场效晶体管包含一基板(30)具有一第一传导类型之一掺杂；一漏区(50，52，54)于基板(30)中具有与该第一传导类型相反之一第二传导类型之一掺杂；一源区(40)于基板(30)中与该漏区(50，52，54)横向间隔且具有该第二传导类型之一掺杂；一沟道区域(98)于基板(30)中被配置在该源区(40)以及该漏区(50，52，54)之间；以及一区域(102，106)具有该第二传导类型之一掺杂且被连接至该漏区(50，52，54)以及被配置在该基板(30)相邻该漏区(50，52，54)之一部份以使具有该第一传导类型且具有第二传导类型之侧面区间被配置于该部分。2.根据权利要求第1项所述之场效晶体管，其中该区域(102，106)系被形成以使该基板(30)与该漏区(50，52，54)邻接之该部分完全地被空乏于施加一预定的漏极电压之际。3.根据权利要求第1项或第2项所述之场效晶体管，其中该区域(102，106)包含一梳子状的交叉剖面。4.根据权利要求第1项至第3项其中一项所述之场效晶体管，其中该基板(30)包含一表面(32)，在其中该源区(40)，该沟道区(98)，以及该漏区(50，52，54)系被配置，且其中该区域包含一或一复数的薄层或管柱(102，104)平行或垂直于该基板(30)之该表面(32)而配置。5.根据权利要求第1项至第4项其中一项所述之场效晶体管，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：U克鲁贝恩，H塔迪肯，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]