互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种互补型金属氧化物半导体图像传感器（ＣＯＭＳ　　ｉｍａｇｅ　ｓｅｎｓｏｒ）的制造方法。该方法包括如下步骤：（ａ）形成第一传导型的基片，其具有光电二极管区域和原有第二传导性信道晶体管区域；和（ｂ）通过使用第一传导性杂质离子，实施用于形成第二传导型信道停止区域的离子植入工艺，以形成第一传导型杂质区域，所述第一传导型杂质区域延伸至所述原有第二传导型信道晶体管区域。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(imagesensor)的制造方法，尤其涉及一种能改善原有N信道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管特性的。
技术介绍
一般说来，CMOS图像传感器是一种能把光学图像转换成电信号的半导体装置。该CMOS图像传感器包括有光检测单元，用于检测光；和逻辑电路，用于将上述检测到的光处理成电信号，然后，此电信号被转换成相应的数据。此CMOS技术采用一开关模式，其中，通过使用多个MOS晶体管(其以具有和像素相同的数目而制成)，以依序地检测出各输出。此CMOS图像传感器被分成一像素区域(pixel region)和一周围区域(peripheral region)。特别地，一像素数组(array)形成在该像素区域中，而NMOS和P信道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管皆形成在周围区域中。如图1所示，像素数组中的单位像素包括一光电二极管(photodiode，PD)，该光电二极管是一种用来收集光的装置；和四个晶体管，例如一转移晶体管(transfer transistor，Tx)；一重设晶体管(reset transistor，Rx)；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括如下步骤：（ａ）形成第一传导型的基片，其具有光电二极管区域和原有第二传导性信道晶体管区域；和（ｂ）通过使用第一传导性杂质离子，实施用于形成第二传导型信道停止区域的离子植入工 艺，以形成第一传导型杂质区域，所述第一传导型杂质区域延伸至所述原有第二传导型信道晶体管区域。

【技术特征摘要】
KR 2003-3-13 10-2003-00156481.一种互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括如下步骤(a)形成第一传导型的基片，其具有光电二极管区域和原有第二传导性信道晶体管区域；和(b)通过使用第一传导性杂质离子，实施用于形成第二传导型信道停止区域的离子植入工艺，以形成第一传导型杂质区域，所述第一传导型杂质区域延伸至所述原有第二传导型信道晶体管区域。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一传导型杂质区域作为光电二极管的一传导型杂质区域和所述第二传导型信道停止区域。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一传导型为P型，所述第二传导型为N型。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述(b)包括如下步骤在所述基片上形成衬垫氧化层和硬掩模，所述衬垫氧化层和所述硬掩模使所述基片的一部分曝光；以及对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李源镐，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]