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本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体图像传感器（ＣＯＭＳ　　ｉｍａｇｅ　ｓｅｎｓｏｒ）的制造方法。该方法包括如下步骤：（ａ）形成第一传导型的基片，其具有光电二极管区域和原有第二传导性信道晶体管区域；和（ｂ）通过使用第一传导性杂质离子，实施用...
该专利属于美格纳半导体有限会社所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限会社授权不得商用。

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