用于半导体集成电路的隔离结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体集成电路的隔离结构，在硅基板表面部分区域采用离子注入方式，从而避免了采用传统方法容易造成的“鸟嘴”现象，并且简化了制造工艺流程。为制得该隔离结构，本发明专利技术的制造方法包含如下步骤：在硅基板上生长一层二氧化硅；涂布上一层厚光刻胶；在掩模板上预设需要隔离的区域，通过一次光刻，刻蚀掉所述需要隔离的区域的光刻胶，暴露出需要做隔离的硅基板表面；刻蚀掉暴露区域的二氧化硅层；不同能量的氮／氧离子多次重复注入所述暴露区域；去除多余光刻胶；氮气氛围下高温长时间处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路的隔离结构。本专利技术还涉及该隔离结构的 制造方法。
技术介绍
目前用于半导体器件制造工艺中普遍采用的隔离结构主要由以下2种局部硅氧化隔离结构(LOCOS)和浅沟隔离结构(STI)。其中，局部硅氧化隔离 结构通常用于0.5微米以上的M0S工艺器件之间的场氧隔离，其特点在于制 作工艺简单，但容易在隔离区形成鸟嘴，导致占用面积增大，减小了有源 区的有效长度，同时由于鸟嘴形貌的不可预见性，常常会对其他工艺，器 件甚至整个制程造成不利的影响，不利于制程的控制；并且由于LOCOS工艺中 一般都需要通过热氧生长法生长几千埃的氧化硅，这就需要经历长时间的热过 程，这对于离子注入的掺杂浓度分布也有一定影响，不利于制程的控制。而浅沟隔离结构，多用于0.25微米及以下技术节点中， 一般用作主流器 件隔离结构，其彻底解决了 鸟嘴现象，但缺点是工艺流程非常复杂。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种用于半导体集成电路的无鸟嘴现 象且制造工艺简单的隔离结构；为此，本专利技术还提供了一种制造该隔离结构的 工艺方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于半导体集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体集成电路的隔离结构，其特征在于：由硅基板、所述硅基板表面预设区域的离子注入区域构成。

【技术特征摘要】
1、一种用于半导体集成电路的隔离结构，其特征在于由硅基板、所述硅基板表面预设区域的离子注入区域构成。2、 一种制造权利要求1所述的用于半导体集成电路的隔离结构的工艺方 法，其特征在于a. 在硅基板上生长一层二氧化硅；b. 涂布上一层厚光刻胶；C.在掩模板上预设需要隔离的区域，通过一次光刻，刻蚀掉所述需要隔离 的区域的光刻胶，暴露出需要做隔离的硅基板表面；d....

【专利技术属性】
技术研发人员：王乐，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]