互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种互补型金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的制造方法，其中一微ｐ阱稳定地形成在一像素区域中，以适应大规模集成的趋势。该方法包括如下步骤：准备具有周围区域和像素区域的基片；通过使用具有第一厚度的第一光致抗蚀剂来实施第一离子植入工艺，由此在所述像素区域中形成正常的第一导电阱；以及通过使用具有第二厚度的第二光致抗蚀剂来实施第二离子植入工艺，由此在所述周围区域中形成所述第一导电型微阱，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的制造方法，尤其涉及一种具有微P阱(micronized p-well)的CMOS图像传感器的制造方法，其中该P阱稳定地形成在一像素区域(pixel region)中。
技术介绍
一般说来，CMOS图像传感器是一种能把光学图像转换成电信号的半导体装置。该CMOS图像传感器包括有光检测单元，用于检测光；和逻辑电路，用于将上述检测到的光处理成电信号，然后，此电信号被转换成相应的数据。此CMOS技术采用一开关模式，其中，通过使用多个MOS晶体管(其以具有和像素相同的数目而制成)，以依序地检测出各输出。此CMOS图像传感器被分成一像素区域和一周围区域(peripheralregion)。特别地，一像素数组(array)形成在该像素区域中，而NMOS和P信道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管皆形成在周围区域中。如图1所示，像素数组中的单位像素包括一光电二极管(photodiode，PD)，该光电二极管是一种用来收集光的装置；和四个晶体管，例如一转移晶体管(transfer transistor，Tx)；一重设晶体管(reset 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补型金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的制造方法，包括如下步骤：　　　　准备具有周围区域和像素区域的基片；　　　　通过使用具有第一厚度的第一光致抗蚀剂来实施第一离子植入工艺，由此在所述像素区域中形成正常的第一导电阱；以及　　　　通过使用具有第二厚度的第二光致抗蚀剂来实施第二离子植入工艺，由此在所述周围区域中形成所述第一导电型微阱，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。

【技术特征摘要】
KR 2003-3-13 10-2003-00156581.一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的制造方法，包括如下步骤准备具有周围区域和像素区域的基片；通过使用具有第一厚度的第一光致抗蚀剂来实施第一离子植入工艺，由此在所述像素区域中形成正常的第一导电阱；以及通过使用具有第二厚度的第二光致抗蚀剂来实施第二离子植入工艺，由此在所述周围区域中形成所述第一导电型微阱，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括如下步骤形成多个场氧化层，以此把所述周围区域和像素区域分隔开来。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一厚度大于大约20000，所述第二厚度小于大约10000。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一离子植入工艺包括如下步骤形成打开所述基体上像素区域的第一光致抗蚀剂图案；通过使用一连续的离子植入工艺，对第一导电型杂质离子进行连续的离子植入，以在所述已打开的像素区域中形成正常的第一导电阱；以及移除所述第一光致抗蚀剂图案。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第二离子植入工艺包括如下步骤形成打开所述基体上周围区域的第二光致抗蚀剂图案；通过使用一连续的离子植入工艺，对第一导电型杂质离子进行连续的离子植入，以在所述已打开的周围区域中形成第一导电型的微阱；以及移除所述第二光致抗蚀剂图案。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一导电杂质是p型杂质，且所述p型杂质是硼离子。7.如权利要求4所述的方法，其特征在于在形成所述正常的第一导电阱的步骤中，所述连续的离子植入工艺如此实施在不同浓度和能级可变的情况下，实施四次离子植入工艺。8.如权利要求7所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李源镐，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]