CMOS图像传感器及其制造方法技术

一种ＣＭＯＳ图像传感器包括：包括蚀刻停止层的钝化层，该钝化层具有形成至由该蚀刻停止层确定的深度的滤色器阵列图案，该滤色器阵列图案包括分开限定的滤色器区；以及滤色器阵列，其包括依据颜色分别滤光的多个滤色器，依据滤色器阵列图案形成该滤色器，每个滤色器由仅填充对应滤色器区的材料形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种互补金属-氧化物-半导体(CMOS)图像传感器，其中滤色器材料填充氮化物膜的蚀刻部分。
技术介绍
图像传感器是用于将光学图像转换为电信号的半导体器件，并且可以是电荷耦合器件或互补金属-氧化物-硅(CMOS)图像传感器。在电荷耦合器件中，电荷被存储在MOS电容器阵列并从中传递。在CMOS图像传感器中，有对应于像素数量的多个MOS晶体管以及顺序输出MOS晶体管的电信号的外围电路。CMOS图像传感器使用CMOS技术以减小特征尺寸、功率消耗和制造成本，并且适用于诸如数字相机、蜂窝电话、个人数字助理、笔记本电脑、条码阅读器和玩具的产品。CMOS图像传感器主要由信号处理芯片构成，包括光电二极管阵列，提供有放大器，模数转换器，内部电压调节器和数字逻辑电路。为了增强CMOS图像传感器的光敏感性，可提高CMOS图像传感器的填充因数。相对于器件本身的面积，光电二极管面积被增加。然而，填充因数的增加由于每个光电二极管的关联逻辑和信号处理电路的存在而受到限制。增强的光敏感性亦可通过聚焦由例如提供给每个光电二极管的微透镜偏转的入射光以将该入射光集中到光电二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：钝化层，其包括蚀刻停止层，所述钝化层具有形成到依据该蚀刻停止层的深度的滤色器阵列图案，该滤色器阵列图案包括分开限定的滤色器区；和滤色器阵列，其包括用于依据颜色来分别滤光的多个滤色器，依据所述滤色器阵列图案形成所述滤色器，每个滤色器由仅填充对应滤色器区的材料形成。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-30 10-2004-01164771.一种CMOS图像传感器，包括钝化层，其包括蚀刻停止层，所述钝化层具有形成到依据该蚀刻停止层的深度的滤色器阵列图案，该滤色器阵列图案包括分开限定的滤色器区；和滤色器阵列，其包括用于依据颜色来分别滤光的多个滤色器，依据所述滤色器阵列图案形成所述滤色器，每个滤色器由仅填充对应滤色器区的材料形成。2.依据权利要求1的CMOS图像传感器，其中每个滤色器的材料是所述多个滤色器的颜色之一的有色阻止剂。3.依据权利要求1的CMOS图像传感器，另外包括覆盖CMOS图像传感器下部结构的绝缘层，所述钝化层形成在所述绝缘层上。4.依据权利要求1的CMOS图像传感器，其中所述滤色器阵列包括三个分开的滤色器。5.依据权利要求4的CMOS图...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑善旭，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]