半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法。在所公开的方法中，通过在与有源区直接接触的ＰＭＤ衬层和隔层绝缘层中提供足够的Ｈ↓［２］，并随后在后续热处理中逐渐地使Ｈ↓［２］扩散，来去除有源区中的不饱和键。该方法包括：形成具有侧壁隔离物的栅电极，形成源区及漏区，通过在栅电极和源区及漏区之上顺序地形成ＳｉＯ↓［２］：Ｈ层、ＳｉＯＮ：Ｈ层、和ＳｉＮ：Ｈ层来形成ＰＭＤ衬层，在ＰＭＤ衬层之上形成隔层绝缘层，以及通过Ｎ↓［２］退火或Ａｒ退火使在ＰＭＤ衬层和隔层绝缘层中的氢扩散至源区及漏区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及半导体制造，更具体而言，涉及。
技术介绍
在半导体制造工艺中，形成前金属电介质(pre-metal dielectric，PMD)衬层以防止存在于硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、和/或磷硅酸盐玻璃(PSG)等中的硼(B)和磷(P)的扩散，其主要用于保护有源区(active area)(例如源区及漏区)，并用作PMD层。当不饱和键存在于图像传感器的有源区表面上时，会使图像传感器中(例如，在将来自于由光致抗蚀剂形成的微透镜的光转换为电信号的光电二极管中)产生漏电流。在此情况下，可通过对有源区实施H2退火来去除不饱和键。然而，当使过量的H2直接接触有源区时，会使半导体器件的特性变差。另一方面，当在制成金属线之后执行H2退火时，由于H2扩散的可能性大幅下降，导致H2退火变得不太有效。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例的一种用于制造半导体器件的典型方法，其包括在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅电极，以及在半导体衬底中形成源区及漏区；通过在栅电极和源区及漏区之上顺序地形成SiO2:H层、SiON:H层、和SiN:H层来形成PMD衬层；在PMD衬层之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅电极，以及在所述半导体衬底中形成源区及漏区；通过在所述栅电极和所述源区及漏区之上顺序地形成ＳｉＯ↓［２］：Ｈ层、ＳｉＯＮ：Ｈ层、和ＳｉＮ：Ｈ层来形成ＰＭ Ｄ衬层；在所述ＰＭＤ衬层之上形成隔层绝缘层；以及通过Ｎ↓［２］退火或Ａｒ退火使在所述ＰＭＤ衬层和所述隔层绝缘层中的氢扩散至所述源区及漏区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李载晳，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]