【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种具有改善的光接收效率的CMOS图像传感器及其制造方法。
技术介绍
图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的半导体器件，包括电荷耦合器件和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。一般的电荷耦合器件包括光电二极管阵列，用于将光信号转换成电信号；多个垂直电荷耦合器件，形成在矩阵型结构排列的各个垂直光电二极管之间，并且垂直传送每个光电二极管所产生的电荷；水平电荷耦合器件，用于水平传送由每个垂直电荷耦合器件传送的电荷；以及读出放大器，用于读出并且输出水平传送的电荷。电荷耦合器件不足之处在于驱动方法复杂、功率消耗大、以及制造工艺复杂(需要多阶段的光学工艺(multi-phased photo-process))。此外，难以将诸如控制电路、信号处理器、以及模拟-数字转换器的辅助电路集成到单芯片电荷耦合器件中，因此，阻碍了使用这种图像传感器的产品的微型化发展。另一方面，CMOS图像传感器采用了将调节电路和信号处理电路用作外围电路的CMOS技术，并且采用了开关技术(switchingtechnology)，允许通过排列的各像素...
【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：至少一个光电二极管，设置在半导体衬底上；以及微透镜，布置在所述至少一个光电二极管中的每个光电二极管之上，其中，所述微透镜由聚合物材料形成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高宽柱，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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