用于制造CMOS图像传感器的方法技术

一种用于制造互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的方法被加以公开。实例方法在其上限定活性区和垫区的基片的垫区中形成金属垫；在包括金属垫的整个基片表面上形成保护层以及选择性地去除保护层以给金属垫开口；以及在包括已开口的金属垫的整个基片表面上形成具有预定厚度的阻挡层。附加地，所述实例方法在对应于活性区的阻挡层上形成红、绿和蓝滤色器层；在每个滤色器层上形成微透镜；以及去除垫区上的阻挡层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于制造互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的方法，包括：在其上限定活性区和垫区的基片的垫区中形成金属垫；在包括金属垫的整个基片表面上形成保护层，并且选择性地去除保护层以给金属垫开口；在包括已开口的金属垫的 整个基片表面上形成具有预定厚度的阻拦层；在对应于活性区的阻挡层上形成红、绿和蓝滤色器层；在每个滤色器层上形成微透镜；以及去除所述垫区上的阻挡层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄儁，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]