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一种用于制造互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的方法被加以公开。实例方法在其上限定活性区和垫区的基片的垫区中形成金属垫；在包括金属垫的整个基片表面上形成保护层以及选择性地去除保护层以给金属垫开口；以及在包括已开口的金属垫的整个基片表...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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