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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在所公开的方法中，通过在与有源区直接接触的ＰＭＤ衬层和隔层绝缘层中提供足够的Ｈ↓［２］，并随后在后续热处理中逐渐地使Ｈ↓［２］扩散，来去除有源区中的不饱和键。该方法包括：形成具有侧壁隔离物的栅电极，形...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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