CMOS图像传感器及其制造方法技术

公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其中防止发生微透镜的提升和漫反射。该ＣＭＯＳ图像传感器包括：光电二极管，形成于半导体衬底中；层间绝缘层，形成于半导体衬底上；金属线，形成于层间绝缘层中，以将相应的光电二极管与逻辑电路电连接；氧化物层，形成于层间绝缘层上；钝化层，形成于氧化物层上，以保护ＣＭＯＳ图像传感器免受外部源；以及微透镜，形成为在与光电二极管相应的部分处穿过钝化层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及补偿型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法，尤其涉及CMOS图像传感器及其制造方法，其中防止发生微透镜的提升(lifting)和漫反射。
技术介绍
通常，图像传感器是将光信号转换到电信号的半导体器件。图像传感器被分类为电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器。CCD在MOS电容器中存储电荷载流子，以及将电荷载流子传送到MOS电容器。MOS电容器相互接近。CMOS图像传感器运用切换模式，其通过利用将控制电路和信号处理电路用作为外围电路的CMOS技术、形成与单元像素的数量相应的MOS晶体管，利用MOS晶体管来顺序地检测单元像素的输出。将对象数据转换成电信号的CMOS图像传感器包括具有光电二极管的信号处理芯片。每个信号处理芯片包括放大器、模拟到数字转换器(A/D转换器)、内部电压发生器、时序发生器和数字逻辑。在此情况中，这在以空间、功率消耗和成本上是经济的。CCD的制造需要技术工艺步骤。然而，CMOS图像传感器可通过比CCD工艺更廉价的硅晶片简单蚀刻工艺以大规模生产来制造。而且，CMOS图像传感器在其组装密度上具有优势。结果，CMOS图像传感器被广泛应用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：光电二极管，形成于半导体衬底中；层间绝缘层，形成于半导体衬底上；金属线，形成于层间绝缘层中，以将相应的光电二极管电与逻辑电路电连接；氧化物层，形成于层间绝缘层上；钝化层， 形成于氧化物层上，以保护ＣＭＯＳ图像传感器免受外部源；以及微透镜，形成为在与光电二极管相应的部分处穿过钝化层。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-30 10-2004-01171841.一种CMOS图像传感器，包括光电二极管，形成于半导体衬底中；层间绝缘层，形成于半导体衬底上；金属线，形成于层间绝缘层中，以将相应的光电二极管电与逻辑电路电连接；氧化物层，形成于层间绝缘层上；钝化层，形成于氧化物层上，以保护CMOS图像传感器免受外部源；以及微透镜，形成为在与光电二极管相应的部分处穿过钝化层。2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中微透镜形成于氧化物层上，微透镜穿过钝化层。3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，还包括形成于钝化层上的不透明层，其中微透镜形成为在与光电二极管相应的部分处穿过不透明层和钝化层。4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中半导体衬底包括第一外延层、形成于第一外延层上的第二外延层、以及形成于第二外延层上的第三外延层。5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其中光电二极管包括形成于第一外延层中的红光电二极管、形成于第二外延层中的绿光电二极管、以及形成于第三外延层中的蓝光电二极管。6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中钝化层是氮化物层。7.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括在半...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌恩，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]