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公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其中防止发生微透镜的提升和漫反射。该ＣＭＯＳ图像传感器包括：光电二极管，形成于半导体衬底中；层间绝缘层，形成于半导体衬底上；金属线，形成于层间绝缘层中，以将相应的光电二极管与逻辑电路电连接；氧化物层...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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