CMOS图像传感器及其制造方法技术

公开了ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其中杂质离子区形成在半导体基片中以形成光电荷的转移路径，从而同时改善死区特性和暗电流特性。ＣＭＯＳ图像传感器包括：第一传导型半导体基片，由有源区和装置隔离区限定；装置隔离膜，形成在对应于所述装置隔离区的所述第一传导型半导体基片中；栅电极，形成在对应于所述有源区的晶体管区的所述第一传导型半导体基片上；第二传导型第一杂质离子区及第一传导型第一杂质离子区，以沉积结构形成于所述栅电极下所述半导体基片中；第二传导型第二杂质离子区，形成于光电二极管区的所述半导体基片中；以及第一传导型第二杂质离子区，形成于第二传导型第二杂质离子区的表面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法，并且更具体地，涉及CMOS图像传感器及其制造方法，其中与暗电流特性折衷的死区特性连同暗电流特性一起得到改进。
技术介绍
通常，图像传感器是把光图像转换成电信号的半导体装置。图像传感器被分为电荷耦合装置(CCD)和CMOS图像传感器。CCD因其复杂的驱动模式、高功率消耗以及多级光刻工艺而在制造工艺中具有缺陷。它也难于使控制电路、信号处理电路及模数转换器集成在CCD芯片上。这不能获得细长尺寸的产品。最近，CMOS图像传感器作为克服CCD的缺点的下一代图像传感器已受到关注。CMOS图像传感器采用开关模式，其通过以下使用MOS晶体管来顺序探测单元像素的输出使用CMOS技术来形成对应于半导体基片上单元像素数目的MOS晶体管，所述CMOS技术使用控制电路和信号处理电路作为外围电路。CMOS图像传感器的优点在于由于CMOS技术而功率消耗低，以及由于相对小数量的光刻工艺步骤而使制造工艺简单。此外，由于CMOS图像传感器允许控制电路、信号处理电路和模数转换器被集成在其芯片上，它的优点在于可得到细长尺寸的产品。因此，CMOS图像传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器包括：第一传导型半导体基片，由有源区和装置隔离区限定；装置隔离膜，形成在对应于所述装置隔离区的所述第一传导型半导体基片中；栅电极，形成在对应于所述有源区的晶体管区的所述第一传导型半导体基片上；　 　第二传导型第一杂质离子区及第一传导型第一杂质离子区，以沉积结构形成于所述栅电极下所述半导体基片中；第二传导型第二杂质离子区，形成于光电二极管区的所述半导体基片中；以及第一传导型第二杂质离子区，形成于第二传导型第二杂质离 子区的表面上。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-29 10-2004-01147811.一种CMOS图像传感器包括第一传导型半导体基片，由有源区和装置隔离区限定；装置隔离膜，形成在对应于所述装置隔离区的所述第一传导型半导体基片中；栅电极，形成在对应于所述有源区的晶体管区的所述第一传导型半导体基片上；第二传导型第一杂质离子区及第一传导型第一杂质离子区，以沉积结构形成于所述栅电极下所述半导体基片中；第二传导型第二杂质离子区，形成于光电二极管区的所述半导体基片中；以及第一传导型第二杂质离子区，形成于第二传导型第二杂质离子区的表面上。2.如权利要求1的CMOS图像传感器，进一步包括形成在所述栅电极侧所述半导体基片中的源和漏区，以及形成在所述源和漏区的所述半导体基片中的第一传导型第三杂质离子区。3.如权利要求2的CMOS图像传感器，其中所述第一传导型第三杂质离子区以倾斜离子注入方式通过注入第一传导型杂质离子而形成。4.如权利要求2的CMOS图像传感器，其中通过控制离子注入角度，所述第一传导型第三杂质离子区被延伸至所述栅电极下的部分。5.如权利要求2的CMOS图像传感器，其中用于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈喜成，金泰雨，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]