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公开了ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其中杂质离子区形成在半导体基片中以形成光电荷的转移路径，从而同时改善死区特性和暗电流特性。ＣＭＯＳ图像传感器包括：第一传导型半导体基片，由有源区和装置隔离区限定；装置隔离膜，形成在对应于所述装置隔离区的...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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