CMOS图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其中，ＣＭＯＳ图像传感器具有在光电二极管和隔离层之间的边界区域上的最小的暗电流。本发明专利技术包括：第一导电型掺杂区，形成在衬底的器件隔离区中，该第一导电型掺杂区围绕隔离区；以及介电层，形成在隔离层和第一导电型掺杂区之间，其中，第一导电型掺杂区和介电层位于隔离层和第二导电型扩散区之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS图像传感器，并且更特别地，涉及改进的CMOS图像传感器及其制造方法，其中可以防止产生暗电流。
技术介绍
通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器主要被分成电荷耦合器件图像传感器(以下简写为“CCD”)以及互补金属氧化物半导体(以下简写为“CMOS”)。CCD包括以矩阵形式排列的多个光电二极管(PD)、在多个光电二极管之间沿垂直方向设置的多个垂直电荷耦合器件(VCCD)、水平电荷耦合器件(HCCD)、以及读出放大器。通过输出由VCCD沿垂直方向传输的电荷，光电二极管将光信号转换成电信号。随后，由HCCD沿水平方向传输由每个VCCD传输的电荷。最后，通过读出放大器读出水平方向上的这些电荷，该读出放大器依次输出电信号。上述配置的CCD具有复杂的驱动机构，它们需要相当大的功耗，并且它们需要具有大量光学处理的复杂的制造过程。此外，当尝试减小产品的尺寸时，使用上述配置的CCD是很不利的，这是因为很难将控制电路、信号处理电路、模/数转换电路(A/D转换器)等集成在CCD芯片上。最近，焦点已经转向了作为下一代图像传感器的CMOS图像传感器，这是因为它本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：第一导电型半导体衬底，由有源区和器件隔离区限定；隔离层，形成在所述衬底的所述器件隔离区中；第二导电型扩散区，形成在所述衬底的所述有源区中；第一导电型掺杂区，形成在所述衬底的所述器 件隔离区中，所述第一导电型掺杂区围绕所述隔离区；以及介电层，形成在所述隔离层和所述第一导电型掺杂区之间，其中，所述第一导电型掺杂区和所述介电层位于所述隔离层和所述第二导电型扩散区之间。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-28 10-2004-01138011.一种CMOS图像传感器，包括第一导电型半导体衬底，由有源区和器件隔离区限定；隔离层，形成在所述衬底的所述器件隔离区中；第二导电型扩散区，形成在所述衬底的所述有源区中；第一导电型掺杂区，形成在所述衬底的所述器件隔离区中，所述第一导电型掺杂区围绕所述隔离区；以及介电层，形成在所述隔离层和所述第一导电型掺杂区之间，其中，所述第一导电型掺杂区和所述介电层位于所述隔离层和所述第二导电型扩散区之间。2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述介电层为热氧化层。3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述介电层具有50-500的厚度。4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述第一导电型掺杂区通过将B或BF2注入到所述器件隔离区中形成。5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述第一导电型掺杂区具有2500-4000的厚度。6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述第一导电型衬底包括高浓度第一导电型硅；以及低浓度第一导电型外延层，形成在所述高浓度第一导电型硅上。7.一种CMOS图像传感器的制造方法，包括以下步骤在由有源区和器件隔离区限定的第一导电型半导体衬底上方按顺序形成衬垫氧化层以及氮化物层；选择性地蚀刻所述氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩昌勋，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]