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本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其中，ＣＭＯＳ图像传感器具有在光电二极管和隔离层之间的边界区域上的最小的暗电流。本发明包括：第一导电型掺杂区，形成在衬底的器件隔离区中，该第一导电型掺杂区围绕隔离区；以及介电层，形成在隔离层和...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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