ＣＭＯＳ图像传感器中的光电二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器中的光电二极管及其制造方法，通过该光电二极管，以增加光电二极管区域尺寸的方式，增强电荷聚集能力。本发明专利技术包括：第一外延层，形成在半导体衬底上；第一光电二极管区，形成在第一外延层的预定表面区域中；第二外延层，形成在包括第一光电二极管区的第一外延层上；第二光电二极管区，形成在第二外延层的预定区域中，以连接到第一光电二极管区；以及第三光电二极管区，形成在第二外延层中，以等间隔与第二光电二极管区隔开并且不与第一光电二极管区连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS图像传感器，并且特别地，涉及CMOS图像传感器中的光电二极管及其制造方法。尽管本专利技术适于较宽范围的应用，但是，本专利技术特别地适用于增加光电二极管的电荷容量。
技术介绍
通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。此外，图像传感器主要被分成电荷耦合器件(下文中缩写为CCD)图像传感器以及互补金属氧化物半导体(下文中缩写为CMOS)图像传感器。CCD包括以矩阵形式排列的多个光电二极管(PD)，用于分别将光学信号转换成电信号；在多个以矩阵形式排列的光电二极管之间沿垂直方向设置多个垂直电荷耦合器件(VCCD)，用于沿垂直方向分别传输由光电二极管产生的电荷；水平电荷耦合器件(HCCD)，用于沿水平方向传输由每个垂直电荷耦合器件传输的电荷；以及读出放大器，通过感测沿水平方向传输的电荷，输出电信号。但是，上述配置的CCD具有复杂的驱动机构，耗费相当多的功率消耗，并且由于多步骤光学处理而需要复杂的制造过程。此外，由于很难将控制电路、信号处理电路、模/数转换电路(A/D转换器)等集成在CCD芯片上，因此，上述配置的CCD不利于减小产品的尺寸。最近，注意力已经转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器中的光电二极管，包括：第一外延层，形成在半导体衬底上；第一光电二极管区，形成在所述第一外延层的预定表面区域中；第二外延层，形成在包括所述第一光电二极管区的所述第一外延层上；第二光电二极管区，形成在所述第二外延层的预定区域中，以与所述第一光电二极管区连接；以及第三光电二极管区，形成在所述第二外延层中，以等间隔与所述第二光电二极管区隔开并且不与所述第一光电二极管区连接。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-29 10-2004-01146021.一种CMOS图像传感器中的光电二极管，包括第一外延层，形成在半导体衬底上；第一光电二极管区，形成在所述第一外延层的预定表面区域中；第二外延层，形成在包括所述第一光电二极管区的所述第一外延层上；第二光电二极管区，形成在所述第二外延层的预定区域中，以与所述第一光电二极管区连接；以及第三光电二极管区，形成在所述第二外延层中，以等间隔与所述第二光电二极管区隔开并且不与所述第一光电二极管区连接。2.根据权利要求1所述的光电二极管，其中，所述第三光电二极管区被形成为宽于所述第一光电二极管区。3.根据权利要求1所述的光电二极管，其中，所述第一光电二极管区的动态范围大于所述第三光电二极管区的动态范围。4.根据权利要求1所述的光电二极管，其中还包括器件隔离层，形成在所述第二外延层上。5.根据权利要求1所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌恩，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]