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本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器中的光电二极管及其制造方法，通过该光电二极管，以增加光电二极管区域尺寸的方式，增强电荷聚集能力。本发明包括：第一外延层，形成在半导体衬底上；第一光电二极管区，形成在第一外延层的预定表面区域中；第二外延层，形...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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