CMOS图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其可以防止在器件隔离膜和光电二极管区之间产生的暗电流，以提高图像传感器的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法，以及更具体地，涉及防止发生暗电流的CMOS图像传感器及其制造方法，因此改进了图像传感器的特性。
技术介绍
通常，图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器。CCD包括矩阵排列的多个光电二极管PD，用于将光信号转换为电信号；在垂直方向上在光电二极管之间形成的多个垂直电荷耦合器件(VCCD)，用于在垂直方向传递由各个光电二极管产生的电荷；多个水平电荷耦合器件(HCCD)，用于在水平方向传递由VCCD传递的电荷；以及读出放大器，用于检测在水平方向上传递的电荷以输出电信号。因为复杂的驱动模式、高功率消耗和多级光刻处理，所以CCD在其制造过程中具有缺点。另外，很难在CCD芯片中集成控制电路、信号处理电路和模数转换器。因此，不可能使用CCD并获得小尺寸的产品。近来，为了克服CCD的缺点，焦点已经转移到作为下一代图像传感器的CMOS图像传感器。CMOS图像传感器使用切换模式，即，通过使用带有控制电路和信号处理电路作为外围电路的CMOS技术，形成对应半导体衬底上单位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：　　　　第一导电型半导体衬底，由有源区和器件隔离区限定；　　　　器件隔离膜，形成在所述器件隔离区中；　　　　第二导电型轻掺杂扩散区，形成在所述有源区中；以及　　　　第一导电型重掺杂外延层，在所述器件隔离膜的外围中形成，所述第一导电型重掺杂外延层包括所述器件隔离膜和所述第二导电型轻掺杂扩散区之间的边界部分。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-29 10-2004-01146601.一种CMOS图像传感器，包括第一导电型半导体衬底，由有源区和器件隔离区限定；器件隔离膜，形成在所述器件隔离区中；第二导电型轻掺杂扩散区，形成在所述有源区中；以及第一导电型重掺杂外延层，在所述器件隔离膜的外围中形成，所述第一导电型重掺杂外延层包括所述器件隔离膜和所述第二导电型轻掺杂扩散区之间的边界部分。2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述器件隔离膜是浅沟道隔离(STI)膜。3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述第一导电型重掺杂外延层具有100到500的厚度。4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，第一导电型轻掺杂外延层形成在所述第一导电型半导体衬底上方。5.一种CMOS图像传感器的制造方法，包括在由有源区和器件隔离区限定的第一导电型半导体衬底的所述器件隔离区中形成沟道；在所述沟道的表面上形成第一导电型重掺杂外延层；在所述沟道中形成器件隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩昌勋，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]