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本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其可以防止在器件隔离膜和光电二极管区之间产生的暗电流，以提高图像传感器的特性。...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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