【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤： 在衬底上形成焊盘之后，涂布氧化物层和氮化物层； 通过蚀刻该氧化物层和该氮化物层露出并清洗该焊盘； 涂布焊盘保护层； 执行氢退火工艺； 执行微透镜工艺、平坦化工艺以及滤色镜阵列工艺；以及 去除焊盘区域的焊盘保护层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金唇翰，
申请(专利权)人：东部电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。