【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件,更具体地,涉及一种半导体器件 以及4吏用特定的掩才莫i殳计(mask design)制造半导体的方法。
技术介绍
通常,半导体器件具有多层结构,其中,使用溅射或化学气相 沉积方法来形成这些层。然后在随后的光刻工艺中,4吏这些层形成 为预定图样。然而,不幸地,由于图样尺寸和/或密度的变化,半导体器件中 会出现问题。为了克月艮出现的这些缺陷,开发出了一种4支术,其中, 多个虚拟图才羊(dummy pattern )与主图才羊一同净皮形成。然而,当将这种技术应用于滤色器时,在主图样区域之外的其 他任何区域都不存在虚拟图样。因此,可能存在保证图样均匀性的 问题。由于此问题,图样的临界尺寸(CD)可能不均匀。此外,必 须手动执行滤色器的图样形成过程。因此,设计滤色器的图样所需 的凄t据量非常大,从而不可能迅速且精确地完成滤色器的i殳计。
技术实现思路
因此,本专利技术旨在提供一种,该方法 基本上避免了现有技术中的 一个或多个问题。本专利技术的一个目的在于提供一种半导体器件和用于制造具有 期望的图样均匀性的半导体器件的方法。本专利技术的另 一 目的 ...
【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法,包括: 设置图样区域; 在所述图样区域上形成多条虚拟网格线; 在所述图样区域中形成多个图样;以及 根据所述虚拟网格线之间的接触规律,用相应的红色(R)、绿色(G)、或蓝色(B)图样替换所述图样区域中的每个图样。
【技术特征摘要】
KR 2007-5-10 10-2007-00456231. 一种用于制造半导体器件的方法,包括设置图样区域;在所述图样区域上形成多条虚拟网格线;在所述图样区域中形成多个图样;以及根据所述虚拟网格线之间的接触规律,用相应的红色(R)、绿色(G)、或蓝色(B)图样替换所述图样区域中的每个图样。2. 4艮据权利要求1所述的方法,其中,在所述图样区域上形成所 述虚拟网才各线包括形成一 系列水平虚拟网格线,所述水平虚拟网格线由一 系列在水平方向上延伸的交替的第 一线和第二线组成;以及形成一 系列垂直虚拟网格线,所述垂直虚拟网格线由一 系列在垂直方向上延伸的交替的第三线和第四线组成。3. 根据权利要求2所述的方法,其中,每条第一线包括绿-蓝(GB ) 线,每条第二线包括绿-红(GR)线,每条第三线包括蓝-绿(BG)线,以及每条第四线包括红-绿(RG)线。4. 冲艮据权利要求3所述的方法,其中,所述第一线和所述第二线 与所述第三线和所述第四线相交,其中,交点位于所述图样中。5. 才艮据权利要求4所述的方法,其中,根据所述接触规律替换每 个图样包4舌将位于第 一 线和第三线之间的交点处的每个图样设置成蓝色(B)图样;将位于第二线和第四线之间的交点处的每个图样设置成 红色(R)图样;将位于第二线和第三线之间的交点处的每个图样设置成 纟录色(G)图才羊;以及将位于第 一 线和第四线之间的交点处的每个图样设置成 绿色(G)图样。6. 根据权利要求5所述的方法,其中,所述图样包括滤色器的主 图样。7. 根据权利要求5所述的方法,其中,所述图样包括滤色器的虚 拟图样。8. —种用于制造半导体器件的方法,包括在衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员:李相熙,曹甲焕,
申请(专利权)人:东部高科股份有限公司,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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