图像传感器结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种制作图像传感器的方法。首先提供包含多个次像素的基底，依序在基底上形成导电层与光导层。然后图案化该导电层和光导层，分别于各次像素中形成像素电极以及感光结构，且相邻次像素的像素电极以及感光结构不相连接。接着在基底表面形成图案化介电层，暴露出各次像素的感光结构，以及在基底表面形成透明导电层，设于各次像素内的感光结构上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种图像传感器的制作方法，尤指 一种能减少载流子串扰问 题的图像传感器的制作方法。
技术介绍
互才卜式金属氧f匕4勿半导体(complementary metal oxide semiconductors, CMOS )或电荷耦合装置(charge coupled device, CCD )等图像传感器皆属 于硅半导体装置，可捕捉光子，并将其转换成电子，经传输后再次转换为可 量测的电压，以得到数字数据。目前业界已研发出一种光导体覆有源像素 (photoconductor-on-active-pixel ， POAP )图像传感器，其结构以氢化 一 —晶硅 (hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H)为感光it/f牛基石出，并i,叠于CCD 或CMOS元件上。此种光导体覆有源像素图像传感器的感测结果较传统的 CCD或CMOS图像传感器更加良好。由于光导体覆有源像素图像传感器具 有特殊的堆叠结构，因此具有高集光有效面积比(fill factor)的优点，其整 个像素面积都能用来感测光子，再配合a-Si:H材料有效转换能量的特性，便 能达本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作图像传感器的方法，该方法包含有：提供基底，其表面定义有多个次像素；依序在该基底表面形成第一导电层以及光导层；图案化该第一导电层以及该光导层，以分别在各该次像素中形成像素电极以及感光结构，并且相邻的各该次像素的这些像素电极以及这些感光结构不相连接；在该基底表面形成图案化介电层，并且暴露出各该次像素的该感光结构；以及在该基底表面形成透明导电层，设于各该次像素内的该感光结构上。

【技术特征摘要】
1、一种制作图像传感器的方法，该方法包含有提供基底，其表面定义有多个次像素；依序在该基底表面形成第一导电层以及光导层；图案化该第一导电层以及该光导层，以分别在各该次像素中形成像素电极以及感光结构，并且相邻的各该次像素的这些像素电极以及这些感光结构不相连接；在该基底表面形成图案化介电层，并且暴露出各该次像素的该感光结构；以及在该基底表面形成透明导电层，设于各该次像素内的该感光结构上。2、 如权利要求1所述的方法，其中图案化该第一导电层与该光导层的 方法包含有下列步骤在该基底上形成第一光致抗蚀剂层；进行第一光刻工艺，以在该第一光致抗蚀剂层中定义出像素电极图案； 利用该第一光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，移除部分该光导层与该第一导 电层；以及移除该第 一光致抗蚀剂层。3、 如权利要求l所述的方法，其中形成该图案化介电层的方法包含有 在该基底表面形成一介电材料层；以及进行化学机械抛光工艺移除部分该介电材料层，直至暴露出各该次像素 中的该感光结构。4、 如权利要求l所述的方法，其中形成该图案化介电层的方法包含有 在该基底表面形成介电材料层； 在该介电材料层表面形成第二光致抗蚀剂层；进行第二光刻工艺，在该第二光致抗蚀剂层中定义出该像素电极图案的 互补图案；利用该第二光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，以移除部分该介电材料层；以及移除该第二光致抗蚀剂层。5、 如权利要求4所述的方法，其中该第二光刻工艺以及该图案化该第一导电层的步骤使用同一光掩模所完成。6、 如权利要求1所述的方法，其中该图案化介电层包含氧化物、氮化 硅或氮氧化硅。7、 如权利要求l所述的方法，其中该图案化介电层包含旋涂式玻璃层。8、 如权利要求l所述的方法，其中该透明导电层包含氧化铟锡材料。9、 如权利要求1所述的方法，其中该光导层由n型层、本征层以及p 型层依序堆叠而成。10、 一种制作图像传感器的方法，该方法包含有 提供基底，其表面定义有多个次像素；依序在该基底表面形成第一导电层、光导层以及第二导电层； 图案化该第一导电层、该光导层、以及该第二导电层，以分别在各该次 像素中形成像素电极、感光结构以及图案化第二导电层，并且相邻的各该次 像素的该像素电极、该感光结构以及该图案化第二导电层不相连接；在该基底表面形成图案化介电层，并且暴露出各该次像素的该图案化第 二导电层；以及在该基底表面形成第三导电层，设于各该次像素内的该图案化第二导电 层上。11、 如权利要求IO...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锦维，陈鸿年，王鸿宪，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]