发光二极管元件及其制造方法技术

一种发光二极管元件，包括：微透镜基板、反射层、缓冲层、第一电性半导体层、有源层、第二电性半导体层、第一电极以及第二电极，其中该微透镜基板的上表面具有多个微透镜。缓冲层位于微透镜基板的上表面上，第一电性半导体层则位于缓冲层上。有源层位于一部分的第一电性半导体层上。第二电性半导体层位于有源层上。第一电极位于第一电性半导体层未覆盖有源层的另一部分上。第二电极位于第二电性半导体层上。反射层位于微透镜基板的下表面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特别涉及一种具有微 透镜基板的。
技术介绍
发光二极管元件(Light Emitting Diode; LED)具有低耗电量、低发热量、 操作寿命长、耐撞击、体积小、反应速度快、以及可发出稳定波长的色光等 良好光电特性，因此常应用于家电、仪表的指示灯及光电产品的应用。随着 光电科技的进步，固态发光元件在提升发光效率、使用寿命以及亮度等方面 已有长足的进步，在不久的将来将成为未来发光元件的主流。然而已知的发光二极管有源层所发射出来的光线，在抵达发光二极管与 周围环境的介面时，会因光线的入射角度大于介面的临界角度而产生全反 射，使光线无法自发光二极管的表面往外界环境射出，造成发光二极管的光 取出率偏低。为了解决此一问题，已知技术以蚀刻、蒸镀或粘着贴附的方式，在发光 二极管的外延结构之上形成立体的透明几何图案，通过透明几何图案的散射 来增广光线的入射角度，以提高发光二极管的光取出率。然而，已知的蚀刻、蒸镀或粘着方法皆易损伤发光二极管的外延结构表 面，因此有需要提供一种可以在不会损伤发光二极管的外延结构的前提之下 提高光取出率的制造方法，以形成一种具有高光取出率的发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管元件，包括：　　　　微透镜基板，该微透镜基板的上表面具有多个微透镜；　　　　反射层，位于该微透镜基板的下表面上；　　　　缓冲层，位于该微透镜基板上表面上；　　　　第一电性半导体层，位于该缓冲层上；　　　　有源层，位于一部分的该第一电性半导体层上；　　　　第二电性半导体层，位于该有源层上；　　　　第一电极，位于该第一电性半导体层未覆盖该有源层的另一部分上；以及　　　　第二电极，位于该第二电性半导体层上。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管元件，包括微透镜基板，该微透镜基板的上表面具有多个微透镜；反射层，位于该微透镜基板的下表面上；缓冲层，位于该微透镜基板上表面上；第一电性半导体层，位于该缓冲层上；有源层，位于一部分的该第一电性半导体层上；第二电性半导体层，位于该有源层上；第一电极，位于该第一电性半导体层未覆盖该有源层的另一部分上；以及第二电极，位于该第二电性半导体层上。2. 如权利要求1所述的发光二极管元件，还包括透明导电层，位于该第 二电极与该第二电性半导体层之间。3. 如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该反射层为由多层氧化物 薄膜所形成的布拉格反射层、 一维光子晶体薄膜或由金属材料所组成。4. 如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该基板为氧化铝基板。5. 如权利要求4所述的发光二极管元件，其中这些微透镜由多个突出部 所构成，且这些突出部为该氧化铝基板的一部分。6. 如权利要求4所述的发光二极管元件，其中这些微透镜由多个凸粒构 成，其中这些凸粒的材料为氧化硅、二氧化硅、或氮化硅。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈建赋，郭得山，郭政达，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]