化合物半导体晶片、发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及化合物半导体晶片、发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括含有发光层（２２）的化合物半导体晶体层（２）和通过金属层（５）被粘结到晶体层（２）的导电基底（６）。所述金属层（５）包括在所述化合物半导体晶体层（２）的一个主要表面上形成的第一金属层（５１）、在所述导电基底（６）的一个主要表面上形成的第二金属层（５３）以及在第一金属层（５１）和第二金属层（５３）之间形成的多孔金属微粒层，所述多孔金属微粒层包含平均直径为１ｎｍ～１００ｎｍ且被互相粘结的金属微粒。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术基于2007年5月24日提交的日本专利申请No. 2007-137765,此 处通过参考引入其全部内容。
技术介绍
1. 专利
本专利技术涉及化合物半导体晶片和发光二极管，所述发光二极管被构造成通 过金属层将化合物半导体晶体层与导电基底连接。本专利技术还涉及所述发光二极 管的制备方法。2. 相关技术的描述使用AlGalnP基半导体、AlGaAs基半导体以及AlGalnN基半导体作为其 发光层的发光二极管(LED)被用作各种信息设备、家用电子设备、工业设备 以及机动车的指示光源等，LED的市场的发展超过任何时候。特别是，在使 用AlGalnP基半导体的LED中，从亮度提高的角度，积极研究诸如化合物半 导体晶体层和由Si等构成的导电基底通过金属层被连接的结构，例如在 JP-A-H10-12917和JP-A-2001-339100中。图3是显示传统LED的截面结构图。该LED ^^皮构造成化合物半导体晶体 层2和导电基底6通过金属层5来连接。化合物半导体晶体层2主要包括第一 包覆层(cladding layer) 21、活性层22以及第二包覆层23。在化合物半导体 晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体晶片，包括：化合物半导体晶体层；以及通过金属层粘结到所述化合物半导体晶体层的导电基底，其中，所述金属层包括含有平均直径为１ｎｍ～１００ｎｍ且互相粘结的金属微粒的多孔金属微粒层。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-24 2007-1377651. 一种化合物半导体晶片，包括 化合物半导体晶体层；以及通过金属层粘结到所述化合物半导体晶体层的导电基底， 其中，所述金属层包括含有平均直径为lnm 100nm且互相粘结的金属微 粒的多孔金属微粒层。2. —种发光二极管，包括 包含发光层的化合物半导体晶体层；以及 通过金属层粘结到所述化合物半导体晶体层的导电基底，其中，所述金属层包括在所述化合物半导体晶体层的一个主要表面上形成 的第一金属层、在所述导电基底的一个主要表面上形成的第二金属层以及在第 一金属层和第二金属层之间所形成的多孔金属微粒层，所述多孔金属微粒层包 含平均直径为lnm 100nm且互相粘结的金属微粒。3. —种制备发光二极管的方法，所述发光二极管包括含有发光层的化合 物半导体晶体层和通过金属层被粘结到所述化合物半导体晶体层的导电基底， 所述方法包括在单晶基底上外延生长所述化合物半导体晶体层；在所述化合物半导体晶体层的最上层的表面上形成第一金属层；在所述导电基底的表面上形成第二金属层；在所述第一金属层和/或所述第二金属层的表面上形成金属微粒层，所述 金属微粒层包含平均直径为lnm 100nm且互相粘结的金属微粒；将所述单晶基底上的所述第一金属层与所述导电基底上的所述第二金属 层通过所述金属微粒层粘结；以及去除所述导电基底上的所述单晶基底。4. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属微粒层的形成包括 涂覆包含金属纟鼓粒的液体形式或糊状形式材料；加热所述液体形式或糊状形式的材料，以蒸发所述液体形式或糊状形式材 料中所包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥健，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]