GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件制造技术

ＧａＮ衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件。ＧａＮ衬底（３０）的生长面（３０ａ）是相对于ｍ－面或ａ－面离轴定向的平面。亦即，在ＧａＮ衬底（３０）中，生长面（３０ａ）是已被偏离定向的ｍ－面或ａ－面。由于，ｍ－面和ａ－面是非极性面，利用该ＧａＮ衬底（３０），制造半导体发光器件，避免压电场的影响，使之可以实现优越的发射效率。根据ｍ－面或ａ－面来对生长面施加离轴角，在衬底上生长晶体中实现高质量形态。利用该ＧａＮ衬底制造半导体发光器件，能够进一步提高发射效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及GaN衬底以及采用GaN衬底的外延衬底和半导体发光 器件。
技术介绍
在晶态的GaN衬底的生长中，通常采用c-面。由于c-面是极性面， 它产生压电场，这已成为采用GaN衬底的发光器件的发射效率降低的一 个原因。特别在采用含铟的发射层的器件中，为了实现绿色区域中的 发光，因此在该层和GaN之间放大的的晶格失配进一步降低器件发射效 率。(参考A. E. Romanov等人的Strain-Induced Polarization in Wurtzite Ill-Nitride Semipolar Layers, Journal of Applied Physics, vol. 100， article 023522 ， 2006; Mathew C. Schmidt等人的Demonstration of Nonpolar m-Plane InGaN/GaN Laser Diodes, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 46， No. 9, 2007, pp. Ll卯-L191;以及Kuniyoshi Okamoto等人的 C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＧａＮ衬底，其生长面是相对于ｍ－面或ａ－面离轴定向的平面。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-17 2007-1320351.一种GaN衬底，其生长面是相对于m-面或a-面离轴定向的平面。2. 如权利要求l所述的GaN衬底，其中离轴角在1.0度以内。3. 如权利要求l所述的GaN衬底，其中离轴角在0.03至0.5度的范围内。4. 如权利要求l所述的GaN衬底，其中偏离定向轴在<0001>方向 上倾斜。5. 如权利要求l所述的GaN衬底，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋田胜史，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]