快闪存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种双位型ＮＲＯＭ快闪存储器件及使用自对准方式制造该器件的方法。快闪存储器件包括：多个位线，埋入衬底中并且沿一个方向以规则间距彼此间隔开；浮置栅极，在衬底上每个位线的两侧对准；以及多个字线，与多个位线交叉并以规则间距彼此间隔开。在根据实施例的快闪存储器件中，多晶硅用于捕获层，因此可以较高速度执行编程和擦除操作，阈值电压（Ｖｔ）窗口扩大，并且提高保持特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
通常，即使在电源关断时，非易失性存储器(例如快闪存储器)也不会丢失存储在 其中的数据。因此，快闪存储器被广泛应用于个人电脑(PC)的Bios、机顶盒、打印机及网络 服务器等以存储数据。近来，快闪存储器还普遍用于数字相机和便携电话。 快闪存储器是以块单位而不是以字节单位执行擦除和编程操作的EEPR0M。典型 的快闪存储器包括具有多个存储单元的存储阵列。每个存储单元包括能够保持电荷的浮置 栅极场效应晶体管(FET)。单元中的数据取决于浮置栅极中的电荷。所述单元被划分为多 个区段，这些区段被称为"擦除块"。典型地以"NOR"架构(每个单元直接连接到位线)或 "NAND"架构(单元准备成单元的"串"，使得每个单元间接连接到位线，并且串中的其它单 元必须被激活以用于接入)的形式设置快闪存储阵列的存储单元。通过对浮置栅极充电， 擦除块中的每个单元可以随机地进行电编程。通过块擦除操作，可以从浮置栅极中擦除电 荷，并且可以一次性地擦除擦除块中的所有浮置栅极存储单元。 近来，NR0M(氮化物只读存储器)被广泛用作快闪存储器。NR0M具有快闪存储器的 某些特性，而不需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快闪存储器件，包括：多个位线，埋入衬底中并且沿一个方向以规则间距彼此间隔开；浮置栅极，在所述衬底上每个位线的两侧对准；以及多个字线，与所述多个位线交叉，并以规则间距彼此间隔开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴圣根，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]