温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种双位型ＮＲＯＭ快闪存储器件及使用自对准方式制造该器件的方法。快闪存储器件包括：多个位线，埋入衬底中并且沿一个方向以规则间距彼此间隔开；浮置栅极，在衬底上每个位线的两侧对准；以及多个字线，与多个位线交叉并以规则间距彼此间隔开。在...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。