【技术实现步骤摘要】
本专利技术描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的基体、至少一个 印制导线和这样的印制导线的至少一个接触面。这样的功率半导体基片例如作为AMD (活性的金属铜焊)、DCB (直接的铜粘结)或IMS (绝缘的金属基片)基片是已知的。
技术介绍
接触面，作为一印制导线的部分或部段，用作为例如与功率半导 体构件或与外部的连接元件的导电连接。这些与接触面的连接元件可 以例如借助于钎焊技术的连接或借助于压力接触的连接构成。特别在 压力接触的连接中在这里利用接触弹簧的连接是特别有益的。按照现有技术已知DCB基片，其包括一陶瓷的基体、常常是氧 化铝或氮化铝，与在其上设置的由铜膜制成的印制导线。这些印制导 线对于钎焊技术的连接是优选的并且此时构成接触面本身。同样已知 若干或全部接触面构成有一附加的薄的金层、优选具有几个原子层的 厚度。这特别对于金属丝粘结的接触面是有利的。在与压力接触的连 接元件如功率半导体模块的辅助或负载连接元件的连接中，其按照现 有技术可以构成为接触弹簧，这样的接触面是不够的。通过热负荷和 施加压力接触弹簧的弹簧脚可能损坏薄的金层并从而降低接触可靠性。专利技术...
【技术保护点】
功率半导体基片（１０），包括一绝缘的面状的基体（１２）、至少一个印制导线（１６）和至少一个作为该印制导线（１６）的部分的接触面（１６２），其中，在该接触面（１６２）上借助于金属材料的加压烧结连接设置一材料层（２０）。
【技术特征摘要】
DE 2007-5-12 102007022336.81. 功率半导体基片(10)，包括一绝缘的面状的基体(12)、至少一个印制导线(16)和至少一个作为该印制导线(16)的部分的接触面(162)，其中，在该接触面(162)上借助于金属材料的加压烧结连接设置一材料层(20)。2. 按照权利要求l所述的功率半导体构件，其特征在于，金属材 料具有一至少IO微米的层厚和一贵金属多于90%的份量。3. 按照权利要求2所述的功率半导体构件，其特征在于，贵金属 是银。4. 按照权利要求1所述的功率半导体构件，其特征在于，在接触 面(162)与金属层(20)之间设置一贵金属的另一金属层(18)，所 述另一金属层(18)具有几个原子层的层厚度。5. 用于制造一按照权利要求1所述的功率半导体基片(10)的方 法，包括下列主要的步骤制造一功率半导体基片，该功率半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：C格布尔，H布拉姆尔，
申请(专利权)人：塞米克朗电子有限及两合公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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