具有接合连接的电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电路装置，具有包括印制导线的衬底、至少一个第一功率半导体部件和相应的接合连接。在此第一功率半导体部件具有相同极性的第一负载连接面和第二负载连接面。该接合连接本身具有奇数Ｎ个接合线，其中Ｎ－１个接合线的第一半从衬底的第一印制导线延伸到第一负载连接面，该Ｎ－１个接合线的第二半从该第一印制导线延伸到第二负载连接面。此外第Ｎ个从第一印制导线出发的连接线在第一负载连接面和第二负载连接面上都具有至少一个接合脚。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术描述了一种电路装置，具有衬底(Substrate )、设置在衬底 上的印制导线(Leiterbahnen )以及i殳置在至少一个印制导线上的至少 一个功率半导体部件(Leistungshalbleiterbauelement),各自的功率半 导体部件借助基本上早已公知的接合连接(Bondverbindung)而与第一印制导线导电地连接。这种类型的电路装置优选用于功率半导体模块 (Leistungshalbleitermodulen )。
技术介绍
已知多种衬底变形方案，优选具有绝缘的基体，例如作为AMB (活性金属钎焊active metal braze)衬底、DCB (直接键合铜 direct copper bonding)衬底或IMS (绝缘金属衬底insulated metal substrate )村底。在这些衬底的第二印制导线上，优选以材料一体 (stoffschluessig)和导电的方式设置功率半导体部件。功率半导体部件与其它印制导线、例如第一印制导线的其它电接触通常借助于接合连接实现，其中接合连接具有多个单独的接合线 (Bonddraehte)来用于连接负栽。由于功率半导体部件的进一步t艮，其侧向;^艮减小，并且因此在栽流能力(Stromtragfaehigkeit)不变的情况下，功率半导体部件的面 积减小。例如具有相同极性的两个负载连接面的功率半导体部件是已知 的，相同极性的负栽连接面例如是功率晶体管的发射极连接面 (Emitteranschlussflaechen )。其中，对于功率半导体部件的负荷，有 利的是为两个发射极连接面均匀地施加电流。借助于接合连接实现的电连接的载流能力通过单个接合线的直径以 及接合线的数量来确定。因此，在从衬底的印制导线到功率晶体管的负3载连接面的接合连接中接合线的数量为奇数可能是必要的以及有意义 的。在很多应用中，功率二极管(Leistungsdioden )的负载连接面还借 助于相同的接合连接与功率晶体管的负栽连接面连接。其中，功率二极 管的负载连接面的大小可能限制每个接合连接中接合线的数量。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于提供一种电路装置，该电路装置使得 能够在接合连接中接合线的数量为奇数的情况下为功率半导体部件的相 同极性的两个负载连接面均匀地施加电流。按照本专利技术，该技术问题通过具有权利要求1所述特征的电路装置 解决。优选的实施方式在从属权利要求中描述。根据本专利技术的电路装置的出发点是优选为上述类型的衬底。该衬底 具有多个印制导线，其中在笫二印制导线上设置至少一个第一功率半导 体部件。该至少一个功率半导体部件借助于所分配的接合连接而与第一 印制导线导电地连接。各自的第一功率半导体部件具有相同极性的第一和第二负载连接 面。电路装置的^连接具有奇数N个接合线，其中N-1个接合线中一 半的接合线从村底的第一印制导线延伸到第一负载连接面。这N-1个接 合线中另 一半的接合线从该第 一印制导线延伸到第二负载连接面。根据 本专利技术，第N个从第一印制导线出发的连接线在第一负栽连接面以及第 二负载连接面上都具有至少一个接合脚(Bondfuss),并且因此与两个 负载连接面导电地连接。通过该结构，可以均勻地为两个负栽连接面施加电流，并且因此均 匀地为整个功率半导体部件施加电流。为了即使在运行于功率半导体部 件的功率极限时也获得功率半导体部件的完全效率，这是必要的。附图说明该电路装置的特别优选的扩展方式在对实施例的相应描述中提到。另外，借助于图1至图3的实施例进一步解释本专利技术的方案。 图l示出了根据本专利技术的第一电路装置。图2示出根据本专利技术的电路装置的功率半导体部件的M连接的接 合线的设置。图3示出根据本专利技术的第二电路装置。具体实施例方式图1示出根据本专利技术的第一电路装置，其^f皮构造为多个功率开关 (Leistungsschalter)的并联电路，该并联电路例如是功率半导体模块 的一部分。该电路装置在此由上述衬底2中之一制成，例如具有陶瓷绝 缘材料体20和设置在该陶瓷绝缘材料体上的金属印制导线22、 24、 26 的DCB衬底。第一印制导线22在此例如传导交流电势，第二印制导线 24传导正极性的直流电势，第三印制导线26传导控制电位。在第二印制导线24上并与该第二印制导线导电连接地设置并联连 接的第一功率半导体部件4，在此是场效应功率晶体管(Feldeffekt-Leistungstransistor)。该功率晶体管4在其背向(abgewandt)衬底2 的侧上具有两个相同极性的负载连接面40、 42，以及控制连接面46。 各自的控制连接面46借助引线接合连接(Drahtbondverbindung) 56 而与衬底的相应第三印制导线26导电连接。衬底2的第一印制导线22和各自功率晶体管4的负载连接面40、 42之间的导电连接同样分别借助"^连接5进行。该接合连接5在此具 有奇数5个M线50、 52、 54，因为这对于该连接的载流能力来该义够 了。这5个掩^线中4个接合线的一半52延伸到功率晶体管4的第一 负载连接面40，并在该第一负栽连接面上对于每个4^线各具有两个接 合脚500、 502。这5个掩^线中4个接合线的另一半52延伸到功率晶 体管4的第二负载连接面42，并在该第二负载连接面上同样对于每个接 合线具有两个*脚520、 522。根据本专利技术，第5个#线54从第一印制导线22延伸到功率晶体 管4的第一负载连接面40，并在该第一负栽连接面上具有接合脚504。此外，第五#线54延伸到第二负载连接面42，并在该第二负载连接 面上也具有接合脚524。因此，村底2的第一印制导线22与功率晶体管 4的接合连接5具有5个#线50、 52、 54，并且对于每个负栽连接面 40、 42分别具有5个接合脚。由此，可以在功率晶体管的两个相同极性 的负载连接面40、 42上均匀分布地为该功率晶体管4施加电流。图2示出根据本专利技术的电路装置的功率半导体部件4的接合连接5 的接合线50、 52、 54的布置，其中功率半导体部件在此是IGBT功率 晶体管。示出了具有两个相同极性的负载连接面40、 42 (在此M射极 接头)以及控制连接面46 (在此是栅极接头)的功率晶体管4。如优选 的那样，这两个负载连接面在此具有相同的面积。该功率晶体管4的仅部分示出的接合连接5 (参见图3)具有奇数 个(在此是5个)接合线50、 52、 54。第一和第二接合线50被分配给 第一负栽连接面40,并在该负栽连接面40上分别具有两个接合脚 500、 502。第三和第四接合线52 ^皮分配给第二负载连接面42，并在该 负栽连接面42上也分别具有两个^^脚520、 522。根据本专利技术，*连接5的第五接合线54具有与第一负载连接面 40连接的接合脚504和与第二负栽连接面连接的M脚524。因此，在 总共5个接合线50、 52、 54以及在两个负载连接面40、 42上总共有10 个接合脚500、 502、 504、 520、 522、 524的情况下，保证了对于每个 负栽连接面40、 42而言，电流施加是均匀的。因此，可以在运行时均 匀地为功率晶体管4施加电流。图3示出根据本专利技术的第二电路装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路装置，具有包括印制导线（２２，２４，２６）的衬底（２）、至少一个第一功率半导体部件（４）以及相应的接合连接（５），其中所述第一功率半导体部件（４）具有相同极性的第一负载连接面（４０）和第二负载连接面（４２），所述接合连接（５）具有奇数Ｎ个接合线（５０，５２，５４），其中Ｎ－１个接合线中一半的接合线（５０）从所述衬底（２）的第一印制导线（２２）延伸到所述第一负载连接面（４０），这Ｎ－１个接合线中另一半接合线（５２）从该第一印制导线（２２）延伸到所述第二负载连接面（４２），从所述第一印制导线（２２）出发的第Ｎ个连接线（５４）在所述第一负载连接面（４０）和所述第二负载连接面（４２）上都具有至少一个接合脚（５０４，５２４）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M莱德雷尔，N瓦伦塔，
申请(专利权)人：塞米克朗电子有限及两合公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]