互补金属氧化物硅图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤。形成包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与金属线之间绝缘的层间绝缘膜的下结构（ｕｎｄｅｒ－ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）。在下结构上面和／或上方形成钝化层。选择性刻蚀钝化层和钝化层下方的层间绝缘膜以形成滤色片区域和金属焊盘暴露区域。同时刻蚀滤色片区域和金属焊盘暴露区域。在刻蚀以形成滤色片的层间绝缘膜上顺序形成多个滤色片和多个微小透镜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及互补金属氧化物硅(CMOS)图像传感器的制造方法，更具体 地，涉及能同时刻蚀将形成滤色片的区域和将露出金属焊盘的顶部的区域的 CMOS图像传感器的制造方法，由此降低工艺成本和工艺时间。
技术介绍
图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可 分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)。CCD图像传感器存储电荷载流子并从金属氧化物硅(MOS)电容器转移。 CMOS图像传感器可以具有多个单元像素，而每个单元像素包括一个感光 器件诸如光电二极管和多个MOS晶体管。CMOS图像传感器可以使用CMOS 技术形成并且可以包括控制电路和信号处理电路作为外围电路。另外，红、绿 和蓝光学信号可以通过MOS晶体管顺序检测，并使用转换方法输出。CMOS图像晶体管可具有多个优点，诸如低功耗、低制造成本和高度集成。 CMOS图像传感器可以包括用于检测光的光检测单元和用于将所检测的 光处理成电信号作为数据的逻辑电路单元。已试图实施增加光检测单元和图像 传感器之间面积比率(即，填充因子)，其反过来，可增加器件的光学灵敏度。 然而，去除逻辑电路单元可能在基本原理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：形成包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与所述金属线之间绝缘的层间绝缘膜的下结构；在所述下结构上方形成钝化层；选择性刻蚀所述钝化层和所述层间绝缘膜以形成滤色片区域和金属焊盘暴露区域；同时刻蚀 所述滤色片区域和所述金属焊盘暴露区域；以及在所述层间绝缘膜上顺序形成多个滤色片和多个微小透镜。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-28 10-2006-00946381.一种方法，包括形成包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与所述金属线之间绝缘的层间绝缘膜的下结构；在所述下结构上方形成钝化层；选择性刻蚀所述钝化层和所述层间绝缘膜以形成滤色片区域和金属焊盘暴露区域；同时刻蚀所述滤色片区域和所述金属焊盘暴露区域；以及在所述层间绝缘膜上顺序形成多个滤色片和多个微小透镜。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括 在形成所述多个滤色片之后和形成所述多个微小透镜之前在多个滤色片上形成覆盖层。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，同时刻蚀所述滤色片区域 和所述金属焊盘暴露区域的步骤包括完全刻蚀所述钝化层，以及将所述金属焊盘上的部分所述层间绝缘膜刻蚀至在约100 A到300A之间的厚度。4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括刻蚀所述金属焊盘上的所述层间绝缘膜部分直到暴露所述金属焊盘的至 少部分上表面。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层包括氮化硅。6. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成多个滤色片、覆盖层和多个微小透镜的步骤包括在滤色片区域之上形成平整层；在所述平整层之上形成多个滤色片，所述多个滤色片包括红滤色片、绿滤 色片和蓝滤色片；在所述多个滤色片之上形成覆盖层，以及在所述覆盖层之上形成多个微小透镜以使所述多个微小透镜对应于所述 多个滤色片。7. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述层间绝缘膜包括未掺 杂的硅酸盐玻璃。8. —种装置包括下结构，其包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与所述金属线之间 绝缘的层间绝缘膜，其中所述金属焊盘的至少部分上表面露出； 在所述下结构之上形成的钝化层； 滤色片区域；在所述滤色片区域中...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴庆敏，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]