【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
图像传感器定义为将光学图像转化为电信号的半导体器件。电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器等是典型的图《象传感器。CMOS图像传感器包括布置在像素区中检测光量的多个像素和对 应于像素的微透镜以利用像素聚集光。
技术实现思路
本专利技术的实施方案提供一种，其减小微透 镜之间的间隙和/或微透镜的球面像差。根据一个实施方案的制造图像传感器的方法可包括以下步骤形成 第一到第三光电二极管和对应于第一到第三光电二极管的第一到第三彩色滤光器；在第一到第三彩色滤光器的上表面上形成包括光敏材料的 光刻胶膜；使用在第 一彩色滤光器和第二彩色滤光器之间的第 一边界和 在第二彩色滤光器和第三彩色滤光器之间的第二边界处具有第一宽度 的第一光透射部分的第一图案掩模，利用第一曝光能量曝光(或辐照) 所述光刻胶膜，形成第一曝光部分；使用在第一和第二边界处具有比第 一宽度更宽的第二宽度的第二光透射部分的第二图案掩模，利用小于第 一曝光能量的第二曝光能量曝光(或辐照)所述光刻胶膜，形成交叠第 一曝光部分的一部分的第二曝光部分；和通过使光刻胶膜显影形成微透 镜。根据另一...
【技术保护点】
一种制造图像传感器的方法，包括以下步骤：形成第一到第三光电二极管和对应于所述第一到第三光电二极管的第一到第三彩色滤光器；在所述第一到第三彩色滤光器的上表面上形成包括光敏材料的光刻胶膜；通过使用在所述第一彩色滤光器和第二彩色滤光器之间的第一边界和在所述第二彩色滤光器和第三彩色滤光器之间的第二边界处具有第一宽度的第一光透射部分的第一图案掩模，利用第一曝光能量曝光或辐照所述光刻胶膜，形成第一曝光部分；通过使用在所述第一和第二边界处具有比所述第一宽度更宽的第二宽度的第二光透射部分的第二图案掩模，利用小于所述第一曝光能量的第二曝光能量曝光或辐照所述光刻胶膜，形成交叠所述第一曝光部分的...
【技术特征摘要】
KR 2006-11-13 10-2006-0111450;KR 2006-11-21 10-2001.一种制造图像传感器的方法，包括以下步骤形成第一到第三光电二极管和对应于所述第一到第三光电二极管的第一到第三彩色滤光器；在所述第一到第三彩色滤光器的上表面上形成包括光敏材料的光刻胶膜；通过使用在所述第一彩色滤光器和第二彩色滤光器之间的第一边界和在所述第二彩色滤光器和第三彩色滤光器之间的第二边界处具有第一宽度的第一光透射部分的第一图案掩模，利用第一曝光能量曝光或辐照所述光刻胶膜，形成第一曝光部分；通过使用在所述第一和第二边界处具有比所述第一宽度更宽的第二宽度的第二光透射部分的第二图案掩模，利用小于所述第一曝光能量的第二曝光能量曝光或辐照所述光刻胶膜，形成交叠所述第一曝光部分的第二曝光部分；和通过显影所述光刻胶膜形成微透镜。2. 根据权利要求l所述的方法，其中所述第二曝光能量是所述第一曝 光能量的40%~60%。3. 根据权利要求l所述的方法，其中所述光敏材料是正型光敏材料。4. 一种制造图像传感器的方法，包括以下步骤 形成第一到第三光电二极管和对应于所述第一到第三光电二极管的第一到第三彩色滤光器；在所述第 一到第三彩色滤光器的上表面上形成包括光敏材料的光刻 胶膜；使用具有对应于所述第 一彩色滤光器和所述第二彩色滤光器之间的 第一边界和所述第二彩色滤光器和所述第三彩色滤光器之间的第二边 界的光透射部分的图案掩模来聚焦曝光所述光刻胶膜；使用所述图案掩模来散焦曝光所述聚焦曝光后的光刻胶膜；和 通过显影所述聚焦曝光和散焦曝光的光刻胶膜形成微透镜。5. 根据权利要求4所述的方法，其中在第一曝光能量下进行所述光刻 胶膜的聚焦曝光，在第二曝光能量下进行所述光刻胶膜的散焦曝光，所 述第一和第二曝光能量为完全曝光所述光刻胶膜的曝光能量的约一半。6. —种制造图像传感器的方法，包括以下步骤形成第一到第三光电二极管和对应于所述第一到第三光电二极管的第一到第三彩色滤光器；在所述第 一到第三彩色滤光器的上表面上形成包括感光材料的光刻 胶膜；使用在各个彩色滤光器上方的位于所述各个彩色滤光器的边缘和中 心之间的多个同心圆的光透射部分来图案化所述光刻胶膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹盈提，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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