系统级封装型半导体装置用树脂组成物套组制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用来制作耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置的树脂组成物。一种套组，其是用来形成系统级封装型半导体装置的底部填充部的底部填充剂、与用来形成系统级封装型半导体装置的树脂密封部的树脂密封剂的套组。所述套组的特点在于满足下述条件：１）底部填充剂硬化物的Ｔｇ大于等于１００℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Ｔｇ之差小于等于２０℃，２）底部填充剂硬化物在小于等于（Ｔｇ－３０℃）的温度下的线膨胀系数、与树脂密封剂硬化物在小于等于（Ｔｇ－３０℃）的温度下的线膨胀系数之和小于等于４２ｐｐｍ／℃，以及３）树脂密封剂硬化物在小于等于（Ｔｇ－３０℃）下的线膨胀系数相对于底部填充剂硬化物在小于等于（Ｔｇ－３０℃）下的线膨胀系数之比为０．３～１．０。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适合用于制作系统级封装(system-in-package，以下简称为SIP)型半导体装置的树脂组成物。详细而言，本专利技术是涉及一种树脂组成物套组，此树脂组成物套组由根据特定特性的观点而选择的底部填充剂及树脂密封剂的组合构成，并且可提供与基板表面的密着性以及耐高温热冲击性优良的半导体装置。
技术介绍
随着电气机器的小型化、轻量化、高功能化，半导体的封装方法的主流也由插针型(pin-insertion type)向表面封装(surface mounting)转变。近年来，广泛使用SIP，此SIP是通过将多个半导体元件(硅芯片，silicon die)形成一个封装(package)，来减少表面封装面积。特别是也使用堆叠积层(stack lamination)型SIP，此SIP是在以倒装芯片(flip chip)方式封装的半导体元件上积层至少一个其他半导体装置，且以打线接合(wire bonding)连接。 如图1所示，倒装芯片是在基板1的布线图案(wiring pattern)面上介隔多个凸点(bump)2来搭载半导体芯片3的方式，所述基板1与半导体芯片3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种套组，其是用来形成系统级封装型半导体装置的底部填充部的底部填充剂、用来形成所述系统级封装型半导体装置的树脂密封部的树脂密封剂的套组，所述系统级封装型半导体装置包括：　　　　基板；　　　　以倒装芯片方式连接在所述基板上的第一半导体元件；　　　　所述第一半导体元件与所述基板之间的所述底部填充部；　　　　配置在所述第一半导体元件上侧的至少一个第二半导体元件；以及　　　　覆盖所述第一半导体元件、所述底部填充部以及所述第二半导体元件的所述树脂密封部，　　　　所述套组的特征在于满足下述条件：　　　　１）底部填充剂硬化物的Ｔｇ大于等于１００℃，并且与树脂密封剂硬化物的Ｔｇ之差小于等于２０℃；　　　　２）...

【技术特征摘要】
JP 2006-9-14 2006-249802;JP 2007-9-7 2007-2325551.一种套组，其是用来形成系统级封装型半导体装置的底部填充部的底部填充剂、用来形成所述系统级封装型半导体装置的树脂密封部的树脂密封剂的套组，所述系统级封装型半导体装置包括基板；以倒装芯片方式连接在所述基板上的第一半导体元件；所述第一半导体元件与所述基板之间的所述底部填充部；配置在所述第一半导体元件上侧的至少一个第二半导体元件；以及覆盖所述第一半导体元件、所述底部填充部以及所述第二半导体元件的所述树脂密封部，所述套组的特征在于满足下述条件1)底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃；2)所述底部填充剂硬化物在小于等于(Tg-30℃)的温度下的线膨胀系数与所述树脂密封剂硬化物在小于等于(Tg-30℃)的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃；以及3)所述树脂密封剂硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的线膨胀系数相对于所述底部填充剂硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的线膨胀系数之比为0.3～1.0。2.根据权利要求1所述的套组，其特征在于所述底部填充剂含有(A)环氧树脂；(B)硬化剂，其量满足[(A)环氧树脂中的环氧基的当量/(B)硬化剂中的环氧基与反应性基团的当量]为0.7～1.2；以及(C)无机填充剂，相对于100重量份(A)，此(C)无机填充剂为50重量份～500重量份；以及所述树脂密封剂含有(a)联苯基芳烷基型环氧树脂或者三苯基环氧树脂；(b)联苯基芳烷基型酚树脂或者三苯基酚树脂，其量满足[(a)联苯基芳烷基型...

【专利技术属性】
技术研发人员：隅田和昌，加藤馨，下田太郎，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]