快闪存储器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种制造快闪存储器件的方法。该方法包括提供包括有源区和场区的半导体衬底。在有源区中形成隧道绝缘层和第一导电层，并在场区中形成隔离结构。该方法包括沿第一导电层和隔离结构的表面形成介电层，沿介电层的表面形成盖层，和在盖层上形成硬掩模层。该方法还包括实施第一蚀刻过程以蚀刻隔离结构上的盖层和介电层，从而形成孔。该方法还包括实施第二蚀刻过程移除硬掩模层，以在介电层中形成凹槽。此外，该方法包括在其中形成有孔和凹槽的结构上形成第二导电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造快闪存储器件的方法，更具体涉及通过最小化在隔制造快闪存储器件的方法。技术背景通常基于根据施加于控制栅极的电压而在浮置栅极中存储电荷的 原理进行快闪存储器件的数据存储操作。在所述浮置栅极和半导体 村底之间形成隧道绝缘层。在所述浮置栅极和控制栅极之间形成介电 层。所述隧道绝缘层用于防止存储在浮置栅极中的电荷泄漏。所述介电 层用于阻止浮置栅极和控制栅极之间的电荷转移。基于以上所述原理的 快闪存储器件的程序存储操作如下所述。在存储单元串中，控制栅极用作字线。字线通常连接到构成多个存 储单元串的多个存储单元。通过字线传输电压。如果电压施加于字线， 则在控制栅极内的电子重新排列，并在隧道绝缘层下的有源区形成沟 道。这导致其中电子穿过隧道绝缘层边界的隧穿现象，使得电子存储在 浮置栅极中。浮置栅极通过基于每个单元的隔离结构而分隔。在隔离结构上形成 介电层和字线。在该结构中，如果在字线和有源区之间施加用于编程操 作的高压，则不但在浮置栅极和有源区之间发生F-N(Fowle-Nordheim) 隧穿，而且在字线和有源区之间产生不希望的电流。这导致电荷捕获现 象，其中电荷捕获在构成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造快闪存储器件的方法，该方法包括：提供包括有源区和场区的半导体衬底，其中在所述场区中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成隧道绝缘层和第一导电层；在所述第一导电层上形成介电层；在所述介电层上形成盖层； 在所述盖层上形成硬掩模层；蚀刻所述隔离结构上的所述盖层和所述介电层以形成孔；移除所述硬掩模层；和在其中形成有孔的所述盖层上形成第二导电层。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-29 10-2006-00961031.一种制造快闪存储器件的方法，该方法包括提供包括有源区和场区的半导体衬底，其中在所述场区中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成隧道绝缘层和第一导电层；在所述第一导电层上形成介电层；在所述介电层上形成盖层；在所述盖层上形成硬掩模层；蚀刻所述隔离结构上的所述盖层和所述介电层以形成孔；移除所述硬掩模层；和在其中形成有孔的所述盖层上形成第二导电层。2. 权利要求l的方法，其中所述隔离结构的高度大于所述隧道绝缘层 的高度但是小于所述第一导电层的高度。3. 权利要求l的方法，其中所述盖层包含多晶硅。4. 权利要求l的方法，其中所述硬掩模层是包括Si3N4、 TiN、 Si02、 多晶硅和无定形碳中的任意一种的单层结构，或包括Si3N4、 TiN、 Si02、 多晶硅和无定形碳中的两种或更多种的堆叠结构。5. 权利要求l的方法，其中形成所述硬掩模层的步骤包括实施 PE-CVD方法、PVD方法、CVD方法、和LP-CVD方法中的至少一种。6. 权利要求l的方法，其中形成所述硬掩模层的步骤包括通过实施 PE-CVD方法或PVD方法沉积Si3N4。7. 权利要求l的方法，其中形成所述硬掩模层的步骤包括通过实施 PVD方法沉积TiN。8. 权利要求l的方法，其中形成所述硬掩模层的步骤包括通过实施 PVD方法沉积TiN并随后通过实施PE-CVD方法在所述TiN上沉积 Si3N4，或通过沉积Si3N4并随后在所述Si3N4上沉积TiN。9. 权利要求l的方法，其中形成所述硬掩模层的步骤包括通过卖施 PVD方法沉积TiN并随后通过实施PE-CVD方法在所述TiN上沉积 Si02，或通过沉积Si02并随后在所述Si02上沉积TiN。10. 权利要求l的方法，其中形成所述硬掩模层的步骤包括通过实施 PVD或PE-CVD方法沉积多晶珪，或通过实施LP-CVD方法沉积多 晶硅并随后...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔殷硕，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]