ＳＯＮＯＳ快闪存储器的制作方法技术

一种ＳＯＮＯＳ快闪存储器的制作方法，包括：提供依次具有介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层的半导体衬底；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构，直至暴露出半导体衬底，形成开口；通过开口在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；在第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，沿字线方向刻蚀第二多晶硅层，直至暴露介电层；进行１０至２０秒的快速热退火。本方法去除在介电层的侧壁以及第一多晶硅层之间产生多晶硅残留，防止漏电流发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制作方法，尤其是一种SONOS快闪存储器的制 作方法。
技术介绍
通常，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储 器，易失性存储器易于在电源中断时丢失其数据，而非易失性存储器即使在 电中断时仍可保存其数据。与其它的非易失性存储技术(例如，磁盘驱动器) 相比，非易失性半导体存储器相对较小。因此，非易失性存储器已广泛地应 用于移动通信系统、存储卡等。近来，已经提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构 的非易失性存储器，即SONOS快闪存储器。SONOS快闪存储器具有很薄的单 元，其便于制造且容易结合至例如集成电路的外围区域(peripheral region)和/ 或逻辑区域(logic region)中。现有技术中SONOS快闪存储器的制作方法参考附图1至附图7所示，其 中附图7还包括附图7A至附图7C，首先，参考附图1，提供半导体村底200， 并在所述半导体衬底200上形成介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结 构210，所述三层堆叠结构210包括形成在半导体衬底200上的介质层210a, 形成在介质层210a上的捕获电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＮＯＳ快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次具有介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构，直至暴露出半导体衬底，形成开口；通过开口进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；在第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，并沿字线方向刻蚀所述第二多晶硅层，直至暴露介电层；进行１０至２０秒的快速热退火。

【技术特征摘要】
1. 一种SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次具有介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构，直至暴露出半导体衬底，形成开口；通过开口进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；在第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，并沿字线方向刻蚀所述第二多晶硅层，直至暴露介电层；进行10至20秒的快速热退火。2. 根据权利要求1所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，进行 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐丹，蔡信裕，仇圣棻，孙鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]