快闪存储器及其制作方法技术

一种快闪存储器，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的源线；位于所述源线两侧的字线和字线介质层，所述字线介质层一部分位于字线下方的半导体衬底上，一部分位于字线远离源线一侧的侧壁；位于源线与字线和字线介质层间的隔离介质层；位于字线介质层远离源线一侧半导体衬底表面的厚度小于字线介质层厚度的浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅堆叠；位于控制栅表面、字线介质层远离字线的侧壁的第一侧墙；位于半导体衬底内正对源线的源区。本发明专利技术的快闪存储器，节省空间，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作领域，特别涉及一种。
技术介绍
只读存储器(Read Only Merory，ROM)为一种永久性的存储器(Non-volatileMemory)，所存入的信息和数据不会因为电源供应的中断而消失。可擦除和编程只读存储器(Erasable Programmable R0M，ERP0M)则是将只读存储器的应用推广到可以进行数据的删除与重新写入，但是删除的动作需要用到紫外线，因此制作EPROM的成本较高。此外，EPROM进行数据删除时，将把所以存储在EPROM的程度或数据全部清除，这使得每次数据修改时，需重新编程，相当耗时。另一种可以让数据修改的可擦除可编程只读存储器(Electrically ErasableProgrammable R0M，EEPR0M)则无上述缺点，在进行数据的清除与重新输入时，可以“一个存储单元一个存储单元的进行”(Bit By Bit)的进行，数据可以进行多次的存入、读出和清除等操作。图1为现有技术形成的可擦除可编程只读存储器(EEPROM) —个存储单元的剖面结构示意图。参考图1，所述存储单元包括半导体衬底100 ；位于所述半导体衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层、第一多晶硅层、第二介质层、第二多晶硅层和硬掩膜层；依次刻蚀硬掩膜层、第二多晶硅层、第二介质层、第一多晶硅层和第一介质层，形成暴露半导体衬底表面的开口；依次形成覆盖所述开口侧壁和底部以及硬掩膜层表面的第三介质层和第三多晶硅层；刻蚀部分所述第三多晶硅层和第三介质层，露出硬掩膜层和半导体衬底表面，在开口侧壁形成字线和字线介质层；沿所述开口进行离子注入，在暴露的半导体衬底内形成源区；在源区的半导体衬底表面形成源线和位于源线和字线之间的隔离介质层；去除所述硬掩膜层，在字线介质层远离字线的侧壁形成第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31