【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，更具体的，本专利技术涉及一种双位快闪存储器制作方法。
技术介绍
作为一种集成电路存储器件，快闪存储器具有电可擦写存储信息的功能，因此，快 闪存储器被广泛应用于如便携式电脑、手机、数码音乐播放器等电子产品中。通常的，依据 栅极结构的不同，快闪存储器分为堆叠栅极快闪存储器及分离栅极快闪存储器两种类型， 这两种快闪存储器都需要将存储单元以适合本身操作的阵列进行排布，每一存储单元都用 来储存单一位的数据。这种快闪存储器的存储阵列需要场氧化层或沟槽式绝缘层来分离存 储单元，同时，为了提高快闪存储器的擦写效率，需要较大面积的存储单元才能得到高电容 耦合比，因此，所述快闪存储器存储单元的面积较为庞大，无法有效提高存储密度。为了提高快闪存储器的存储密度，美国专利第6538四2号提出了一种双位快闪存 储器的结构，通过在一个快闪存储器存储单元上形成两个对称的存储位，所述双位快闪存 储器提高了存储密度。图1为现有技术双位快闪存储器的剖面结构示意图。如图1所示， 两个用于存储电荷的第一电荷俘获层102和第二电荷俘获层103位于衬底100上栅极结构 的两侧，...
【技术保护点】
一种双位快闪存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介电层与栅电极层，刻蚀所述栅电极层及栅介电层，形成栅极结构；侧向刻蚀栅介电层的部分区域，在栅介电层两侧形成开口；在栅电极层与半导体衬底表面形成隔离层；在半导体衬底及栅极结构上形成非掺杂的多晶硅，所述非掺杂的多晶硅填充到栅介电层的开口中，栅电极层与半导体衬底表面的隔离层将所述非掺杂的多晶硅与栅电极层及半导体衬底隔离；刻蚀非掺杂的多晶硅，仅保留位于栅介电层开口处的非掺杂的多晶硅，所述开口处的非掺杂的多晶硅形成电荷俘获层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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