一种嵌入式闪存的制作方法技术

本发明专利技术提供了嵌入式闪存的制作方法，将半导体衬底划分为闪存区域和逻辑区域，在半导体衬底上依次形成二氧化硅层、浮栅多晶硅层以及第一氮化硅层，在逻辑区域和闪存区域内分别形成浅沟槽；在浅沟槽内填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离，去除第一氮化硅层；在浮栅多晶硅层以及浅沟槽隔离上形成第二氮化硅层，并使第二氮化硅层平坦化；在第二氮化硅层上形成第三氮化硅层；在闪存区域形成凹槽；在第三氮化硅层上沉积有源多晶硅层，以在凹槽内形成源极；采用化学机械研磨平坦化处理有源多晶硅层；采用湿法刻蚀去除第二氮化硅层和第三氮化硅层；去除逻辑区域的浮栅多晶硅层，在逻辑区域形成CMOS结构，在闪存区域形成字线，上述提高了湿法刻蚀的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式闪存的制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种嵌入式闪存的制作方法。
技术介绍
存储器用于存储大量数字信息，最近据调查显示，在世界范围内，存储器芯片大约占了半导体交易的30％，多年来，工艺技术的进步和市场需求催生越来越多高密度的各种类型存储器，如RAM(随机存储器)、DRAM(动态随机存储器)和FRAM(铁电存储器)等，其中，闪存存储器即FLASH以及成为非易失性半导体存储技术的主流，在各种各样的FLASH器件中，嵌入式闪存是片上系统(SOC)的一种，在一片集成电路内同时集成逻辑电路模块和闪存电路模块，在智能卡、微控制器等产品中有广泛的用途。在集成电路内制作逻辑电路模块和闪存电路模块的过程中，图1A～1E为现有技术中嵌入式闪存制作方法所对应的剖面结构示意图。参照图1A，首先将半导体衬底10按形成功能分别划分为闪存区域11和逻辑区域12，在半导体衬底10上依次形成二氧化硅层121、浮栅多晶硅层122以及第一氮化硅层123，在所述逻辑区域12内采用光刻形成浅沟槽124，如图1A～1E所示，所述闪存区域11沿Y轴剖面，所述逻辑区域12沿X轴剖面，沿Y轴剖面的所述闪本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：将半导体衬底划分为闪存区域和逻辑区域，在所述半导体衬底上依次形成二氧化硅层、浮栅多晶硅层以及第一氮化硅层，在所述逻辑区域和所述闪存区域内分别形成浅沟槽；在所述浅沟槽内填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离，去除所述第一氮化硅层；在所述浮栅多晶硅层以及所述浅沟槽隔离上形成第二氮化硅层，并使所述第二氮化硅层平坦化；在所述第二氮化硅层上形成第三氮化硅层；在所述闪存区域形成凹槽；在所述第三氮化硅层上沉积有源多晶硅层，以在所述凹槽内形成源极；采用化学机械研磨平坦化处理所述有源多晶硅层；采用湿法刻蚀去除所述第二氮化硅层和所述第三氮化硅层；去除所述逻辑区域的所述浮栅多晶...

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：将半导体衬底划分为闪存区域和逻辑区域，在所述半导体衬底上依次形成二氧化硅层、浮栅多晶硅层以及第一氮化硅层，在所述逻辑区域和所述闪存区域内分别形成浅沟槽；在所述浅沟槽内填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离，去除所述第一氮化硅层；在所述浮栅多晶硅层以及所述浅沟槽隔离上形成第二氮化硅层，并使所述第二氮化硅层平坦化；在所述第二氮化硅层上形成第三氮化硅层；在所述闪存区域形成凹槽；在所述第三氮化硅层上沉积有源多晶硅层，以在所述凹槽内形成源极；采用化学机械研磨平坦化处理所述有源多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，王哲献，于涛，胡勇，江红，李冰寒，纪登峰，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31