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本发明提供了嵌入式闪存的制作方法，将半导体衬底划分为闪存区域和逻辑区域，在半导体衬底上依次形成二氧化硅层、浮栅多晶硅层以及第一氮化硅层，在逻辑区域和闪存区域内分别形成浅沟槽；在浅沟槽内填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离，去除第一氮化硅层；在浮栅多...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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