A flash memory circuit includes at least the peripheral circuit and decoding circuit, wherein the row decoder circuit includes a level shift circuit, word line selection circuit and driver latch circuit, wherein the level shift circuit includes a first pull MOS tube and second pull MOS tube, the first pull MOS tube and second drop MOS the tube and the first inverter, by increasing the first drop MOS tube and MOS tube second pull-down source voltage, the source voltage is greater than the first gate voltage drop MOS tube and second MOS drop tube; while increasing the first MOS pull MOS tube and the second tube on the substrate voltage, the substrate voltage is greater than the the first MOS pull MOS tube and second source voltage. The invention improves the level shift circuit in the existing flash memory circuit, so that when the flash memory system is in standby, the leakage current flowing through the MOS tube can be reduced, so that the MOS tube can not be damaged by the high leakage current.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及闪存设计电路领域，特别涉及一种闪存电路。
技术介绍
如图1所示，在现有的闪存1中主要包括外围电路11、行译码电路12、列译码电路 13以及存储阵列14。其中，所述外围电路11分别与所述行译码电路12和所述列译码电路 13相连接，所述行译码电路12和所述列译码电路13与存储阵列14相连接。进一步地，所 述行译码电路12中还包括电平移位电路121，字线选择电路122以及驱动锁存电路123，其 中所述电平移位电路121与后一级的字线选择电路122相连接，所述字线选择电路122与 所述驱动锁存电路123相连接。具体地，所述电平移位电路类似于一个电压开关，输出互补 的高电平信号和低电平信号，然后字线选择电路根据接收到的高电平信号或者低电平信号 来选择相应的字线，并通过驱动锁存电路123驱动所述存储阵列14中相应的字线。具体地， 可以参考中国专利申请号为201010161459. 1公开了一种电压电平移位器的结构以及电压 电平移位的方法。参考图2示出了现有技术中电平移位电路的示意图。具体地，所述电平移位电路 的接收端ml接收包括高电平信号和低电平信号的输入信...
【技术保护点】
１．一种闪存电路，至少包括外围电路和行译码电路，其中所述行译码电路包括电平移位电路、字线选择电路以及驱动锁存电路，其中所述电平移位电路包括：第一上拉ＭＯＳ管和第二上拉ＭＯＳ管，第一下拉ＭＯＳ管和第二下拉ＭＯＳ管以及第一反相器，其特征在于，所述第一下拉ＭＯＳ管的源极和所述第二下拉ＭＯＳ管的源极分别连接于第一电压端和第二电压端，其中所述第一电压端的电压大于第一下拉ＭＯＳ管的栅极电压，所述第二电压端的电压大于第二下拉ＭＯＳ管的栅极电压；所述第一上拉ＭＯＳ管的衬底和所述第二上拉ＭＯＳ管的衬底分别连接于第三电压端和第四电压端，其中所述第三电压端的电压大于所述第一上拉ＭＯＳ管的源极电压...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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