用于半导体集成电路的接口装置和其接口方法制造方法及图纸

一种用于半导体集成电路的接口装置和其接口方法，其响应于由输出块输出的差分信号将该差分信号的ＶＯＸ控制到目标水平。该用于半导体集成电路的接口装置包括：输出块，配置为输出由内部电路输出的差分信号；检测器，配置为检测差分信号的定时误差；以及控制器，配置为根据检测器的检测结果来控制由内部电路输出的差分信号的定时。

Interface device for semiconductor integrated circuit and interface method thereof

An interface device for a semiconductor integrated circuit and an interface method for controlling the VOX of the differential signal to the target level in response to a differential signal output by the output block. The interface device for semiconductor integrated circuit includes an output block configured to output signal from the output of the internal circuit; detector configured to detect differential timing error signal; and a controller configured according to the detected result of the detector to control the timing signal from the internal circuit output difference.

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请请求享有2009年12月四日提交的韩国专利申请10-2009-0133391号的 优先权，并且通过引用将其完整内容结合于此。
技术介绍
本专利技术的示例性实施例涉及半导体集成电路，更具体地，涉及半导体集成电路的 接口装置和其接口方法。近来所设计的半导体集成电路(IC)要求高集成度、低功耗和高运算速度。为了满 足这些要求，半导体集成电路配备有接口装置，用于向/从外部电路发送/接收信号/杠 信号(bar signal) 0这里，信号/杠信号包括数据信号和数据杠信号(即逻辑反向数据信 号)、地址信号和地址杠信号(即逻辑反向地址信号)以及命令信号和命令杠信号(即逻辑 反向命令信号)。半导体集成电路接口装置可以包括输入块，该输入块具有多个接收器(Rx)，每个 接收器用于从外部电路接收信号或杠信号。半导体集成电路的接口装置还可以包括输出 块，该输出块具有多个发送器CTx)，每个发送器用于向该外部电路发送信号或杠信号。半导 体集成电路的接口装置可以通过包括分别具有多个接收器和多个发送器的输入块和输出 块而成为双向的。一般来说，沿焊盘设置输入块、输出块以及包括输入块和输出块二者的双 向结构，以简化设计自动化。然而，包括输出块和具有输入块和输出块二者的双向结构的常规半导体集成电路 的接口装置具有以下缺点。当输出块输出的信号和杠信号的电压水平VOX在设定范围之外时，可能在外部电 路的输入块中发生位错(bit error)。这里，“VOX”表示由该输出块输出的信号和杠信号的 交叉点的电压水平。由于没有常规的技术提供用于直接检测VOX的方法，通过检测抖动(jitter)来间 接地检测VOX。当VOX被转换到时域中时，其变得抖动，并且电源电压VDD和接地电压VSS 之间的信号和杠信号的交叉点随摆动水平变化的事实指示已经发生了定时误差。因此，当 检测到抖动时，VOX被间接地检测。常规技术使用基于插值的过采样方法，以检测由输出块输出的信号和杠信号的抖 动。然而，常规技术的缺点在于插值和过采样过程过于复杂而不能简单地在输出块中实 现。此外，由于输出块通常占据较大的体积，并且由于其包括高功耗的电路，输出路径(由 输出块通过该路径将数据输出到外部电路)比输入路径(通过该路径将数据从输入块输入 到集成电路的内部电路)花费更少的时间。因此，难以加入需要延迟的电路。因此，期望用于检测vox的电路具有小体积、低功耗和短时间延迟。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及半导体集成电路的接口装置，用于当输出块输出差分信号时将该差分信号的vox控制在设定范围内，以及其接口方法。根据本专利技术的实施例，半导体集成电路的接口装置包括输出块，配置为输出由内 部电路产生的差分信号；反馈块，配置为反馈由该输出块输出的差分信号；检测器，配置为 检测该差分信号的定时误差；以及控制器，配置为基于该检测器的检测结果控制由内部电 路产生的差分信号的定时。根据本专利技术的另一个实施例，半导体集成电路的接口方法包括通过输出块输出 由内部电路产生的差分信号；反馈由该内部电路输出的差分信号；检测该差分信号的定时 误差；以及基于定时误差检测结果控制由该内部电路产生的差分信号的定时。根据本专利技术的又一个实施例，半导体集成电路的接口方法包括在初始操作时段 期间检测定时误差并存储该定时误差检测值；以及在实际操作时段期间响应于由内部电路 输出的差分信号根据所存储的检测值来控制差分信号的定时并通过焊盘以受控的定时输 出该差分信号。附图说明图1是图解根据本专利技术的第一实施例的半导体集成电路接口装置的框图。图2图解图1中所示的相位检测器。图3A到图3C分别是图解模拟控制信号产生器和两个数字控制信号产生器的框 图。图4A及图4B图解设置在图1中的输出块中的控制器。图5是图解根据本专利技术的第一实施例的接口装置的接口方法的流程图。图6A及图6B是基于图5中的反馈的信号和杠信号的相位差的检测信号的时序 图。图7是图解根据本专利技术的第二实施例的半导体集成电路接口装置的框图。图8是图解根据本专利技术的第二实施例的接口装置的接口方法的流程图。图9是图解根据本专利技术的第三实施例的半导体集成电路接口装置的框图。图10是图解图9中所示的输出控制器的电路图。具体实施例方式下面参考附图更详细地描述本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以以不同的 形式实施，而不应被理解为仅限于这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例以使得本说 明书更加详细和完整，并且对本领域技术人员充分地传达本专利技术的范围。在整个说明书中， 在本专利技术的各个附图和实施例中，相似的附图标记指示相似的部分。附图不一定成比例的，并且在某些情况下，比例可能已被放大，以便清楚地图解本 专利技术的实施例的特征。图1是图解根据本专利技术的第一实施例的半导体集成电路接口装置的框图。图2图 解图1中所示的相位检测器。图3A到图3C是描述模拟控制信号产生器和两个数字控制信 号产生器的框图。图4A及图4B图解图1中所示的控制器以及第一输出缓冲器。在第一实施例中，选择包括输出块的单向接口装置作为例子，并描述如下。参考 图1，半导体集成电路(IC)中提供的接口装置100包括输出块110，其缓冲由半导体集成电路的内部电路(未示出)产生的信号IN和杠信号INB，并通过第一焊盘102 (PADl)和第二 焊盘104(PAD》将经缓冲的信号输出到外部电路(未示出)。输出块110包括第一输出缓 冲器112和第二输出缓冲器114，其分别将内部电路产生的信号IN和杠信号INB的信号水 平转换为适合于外部电路的信号水平，并将经转换的信号(即输出信号OUT和输出杠信号 0UTB)传递至外部电路。第一和第二输出缓冲器112和114可以是常规发送器。信号IN和 杠信号INB可以包括数据信号和数据杠信号、地址信号和地址杠信号以及命令信号和命令 杠信号。接口装置100还包括第一信号水平转换器120和第二信号水平转换器130，分别接 收从输出块110反馈的输出信号OUT和输出杠信号0UTB，并将它们的信号水平转换回其原 始信号水平。第一和第二信号水平转换器120和130可以是反相器或放大器。接口装置100还包括相位检测器140，其接收第一和第二信号水平转换器120和 130的输出信号OUT’和OUTB’，并基于输出信号OUT’和OUTB’之间的相位差的值输出检测 信号DS。将检测信号DS作为逻辑高水平或逻辑低水平输出。如图2所示，相位检测器140 基于第二信号水平转换器130的输出杠信号0UTB’执行第一信号水平转换器120的输出信 号OUT’的采样。然而，相位检测器140的结构并不限于图2所示的结构，可以有不同的变 型。例如，相位检测器140可以输出作为脉冲式信号的检测信号DS。可以根据相位检测器 140的检测信号DS间接地测量VOX。VOX表示由输出块110输出的输出信号OUT和输出杠 信号OUTB的交叉点的水平。因此，可以通过在相位检测器140中间接测量VOX来确定是否 已出现定时误差。 接口装置100还包括控制信号产生器150，其响应于相位检测器140输出的检测信 号DS输出控制信号CS以控制下面所描述的控制器160。控制信号产生器150可以是模拟 控制信号产生器或数字控制信号产生器。模拟控制信号产生器产生模拟控本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于半导体集成电路的接口装置，包括：输出块，配置为输出由内部电路产生的差分信号；检测器，配置为检测所述差分信号的定时误差；以及控制器，配置为根据所述检测器的检测结果控制由所述内部电路产生的所述差分信号的定时。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李智王，金龙珠，宋喜雄，吴益秀，金亨洙，黄太镇，崔海郎，张在旻，朴昌根，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]