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一种闪存电路，至少包括外围电路和行译码电路，其中所述行译码电路包括电平移位电路、字线选择电路以及驱动锁存电路，其中所述电平移位电路包括：第一上拉MOS管和第二上拉MOS管，第一下拉MOS管和第二下拉MOS管以及第一反相器，通过增大第一下拉M...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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