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一种快闪存储器，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的源线；位于所述源线两侧的字线和字线介质层，所述字线介质层一部分位于字线下方的半导体衬底上，一部分位于字线远离源线一侧的侧壁；位于源线与字线和字线介质层间的隔离介质层；位于字线介质层远离...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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