【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体来说涉及半导体存储器装置、方法及系统，且更特定来说，涉及用于半导体处理的装置、方法及系统。
技术介绍
通常将存储器装置提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器及电阻可变存储器，以及其它存储器。电阻可变存储器的类型包含可编程导体存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)及电阻式随机存取存储器(RRAM)，以及其它存储器。PCRAM存储器装置的物理布局可类似于 DRAM装置的物理布局，其中DRAM单元的电容器由相变材料(例如，锗锑碲化物(GST))取代。举例来说，RRAM存储器装置的物理布局可包含若干个存储器单元，所述存储器单元包含可变电阻器薄膜(例如，巨磁阻材料)，所述可变电阻器薄膜可连接到存取装置(例如，二极管、场效晶体管(FET)或双极结晶体管(BJT))。PCRAM装置的存储器单元材料(例如，GST)可以非晶较高电阻状态或结晶较低电阻状态存在。PCRAM单元的电阻状态可通过向所述单...
【技术保护点】
１．一种半导体处理方法，其包括：在结构上形成硅层；形成穿过所述硅层且进入到所述结构中的开口；及在所述开口中选择性地形成电阻可变材料以使得所述电阻可变材料不形成于所述硅层上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：尤金·P·马什，蒂莫西·A·奎克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US
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