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一种ＳＯＮＯＳ快闪存储器的制作方法，包括：提供依次具有介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层的半导体衬底；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构，直至暴露出半导体衬...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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