SONOS快闪存储器的制作方法技术

一种ＳＯＮＯＳ快闪存储器的制作方法，包括下列步骤：提供硅衬底，所述半导体衬底上依次包含氧化硅－氮化硅－氧化硅层、第一多晶硅层以及第一硬掩膜层；沿位线方向蚀刻第一硬掩膜层至露出第一多晶硅层；沿字线方向蚀刻第一硬掩膜层至露出第一多晶硅层；以第一硬掩膜层为阻挡层，蚀刻第一多晶硅层和氧化硅－氮化硅－氧化硅层至露出硅衬底，形成多晶硅栅极结构阵列。本方法避免在介电层的侧壁产生多晶硅残留，避免了不同存储单元之间产生短路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制作方法，尤其涉及SONOS快闪存储器的制作方法。
技术介绍
通常，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器易于在电源中断时丢失其数据，而非易失性存储器即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。与其它的非易失性存储技术(例如，磁盘驱动器)相比，非易失性半导体存储器具有成本低、密度大的特点。因此，非易失性存储器已广泛地应用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理。 近来，已经提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的非易失性存储器，包括SONOS快闪存储器。SONOS结构的非易失性存储器具有很薄的单元，其便于制造且容易结合至例如集成电路的外围区域和/或逻辑区域中。 专利号为US6797565的美国专利提供了一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤，如图1A所示，首先，在硅衬底100上形成氧化硅-氮化硅-氧化硅层(ONO)102；然后在氧化硅-氮化硅-氧化硅层102本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＮＯＳ快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供硅衬底，所述半导体衬底上依次包含氧化硅－氮化硅－氧化硅层、第一多晶硅层以及第一硬掩膜层；沿位线方向蚀刻第一硬掩膜层至露出第一多晶硅层；沿字线方向蚀刻第 一硬掩膜层至露出第一多晶硅层；以第一硬掩膜层为阻挡层，蚀刻第一多晶硅层和氧化硅－氮化硅－氧化硅层至露出硅衬底，形成多晶硅栅极结构阵列；沉积覆盖多晶硅栅极结构阵列的介电层，并进行平坦化处理直至露出第一硬掩膜层；去除第一 硬掩膜层；在第一多晶硅层以及介电层表面依次形成第二多晶硅层和第二硬掩膜层...

【技术特征摘要】
CN 2006-11-28 200610118820.61.一种SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤提供硅衬底，所述半导体衬底上依次包含氧化硅-氮化硅-氧化硅层、第一多晶硅层以及第一硬掩膜层；沿位线方向蚀刻第一硬掩膜层至露出第一多晶硅层；沿字线方向蚀刻第一硬掩膜层至露出第一多晶硅层；以第一硬掩膜层为阻挡层，蚀刻第一多晶硅层和氧化硅-氮化硅-氧化硅层至露出硅衬底，形成多晶硅栅极结构阵列；沉积覆盖多晶硅栅极结构阵列的介电层，并进行平坦化处理直至露出第一硬掩膜层；去除第一硬掩膜层；在第一多晶硅层以及介电层表面依次形成第二多晶硅层和第二硬掩膜层；沿字线方向蚀刻第二硬掩膜层和第二多晶硅层至露出介电层；去除第二硬掩膜层。2.根据权利要求1所述的SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于蚀刻第一硬掩膜层和第二硬掩膜层的方法为干法蚀刻法。3.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜进甫，徐丹，孙士祯，孙智江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]