非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，此方法是先提供基底，基底包括第一导电型阱区、元件隔离结构以及虚拟存储器单元行。虚拟存储器单元行包括第二导电型源极区与第二导电型漏极区。在基底上形成具有开口的第一层间绝缘层，且开口暴露出两个相邻的第二导电型漏极区以及两者之间的元件隔离结构。移除开口中的部分元件隔离结构，并在开口中的基底中形成第一导电型延伸掺杂区。在开口中填满阱区延伸导体层，接着再在基底上形成电学连接阱区延伸导体层的虚拟位线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，且特别涉及一种非易失性存储 器的阱区延伸结构的制造方法。
技术介绍
非易失性存储器元件由于具有可进行多次数据存入、读取、擦除等操作， 且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此已成为个人计算机和电子设 备所广泛采用的一种存储器元件。典型的非易失性存储器元件， 一般被设计成具有堆栈式栅极(Stacked-Gate)结构，其中包括以掺杂多晶硅制作的浮动栅极(Floating Gate) 与控制栅极(ControlGate)。浮动栅极位于控制栅极和基底之间，且处于浮动 状态，没有和任何电路相连接，而控制栅极则与字线(WordLine)相接，此夕卜分别位于基底和浮动栅极之间以及浮动栅极和控制栅极之间。另一方面，目前业界较常使用的闪存阵列包括或非门(NOR)型阵列结构 以及与非门(NAND)型阵列结构。由于与非门(NAND)型阵列的非易失性存储 器结构是使各存储器单元串接在一起，其集成度与面积利用率较或非门 (NOR)型阵列的非易失性存储器佳，已经广泛地应用在多种电子产品中。在现有的与非门(NAND)型非易失性存储器中，在基底中设置有存储器 单元阱区(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，包括：提供基底，该基底中已形成第一导电型阱区；在该基底中形成多个元件隔离结构；在该基底上形成多个虚拟存储器单元行，各该虚拟存储器单元行包括第二导电型源极区与第二导电型漏极区 ；在该基底上形成第一层间绝缘层；在该第一层间绝缘层中形成开口，该开口至少暴露出该虚拟存储器单元行的该第二导电型漏极区以及该第二导电型漏极区之间的该元件隔离结构；移除该开口所暴露的部分该元件隔离结构；在该开口所 暴露的该基底中形成第一导电型延伸掺杂区；在该开口中形成阱区延伸导...

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，包括提供基底，该基底中已形成第一导电型阱区；在该基底中形成多个元件隔离结构；在该基底上形成多个虚拟存储器单元行，各该虚拟存储器单元行包括第二导电型源极区与第二导电型漏极区；在该基底上形成第一层间绝缘层；在该第一层间绝缘层中形成开口，该开口至少暴露出该虚拟存储器单元行的该第二导电型漏极区以及该第二导电型漏极区之间的该元件隔离结构；移除该开口所暴露的部分该元件隔离结构；在该开口所暴露的该基底中形成第一导电型延伸掺杂区；在该开口中形成阱区延伸导体层，该阱区延伸导体层经由该第一导电型延伸掺杂区电学连接该第一导电型阱区；以及在该基底上形成多条虚拟位线，该虚拟位线电学连接该阱区延伸导体层。2. 如权利要求1所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，其 中该阱区延伸导体层的形成方法包括在该基底上形成第一导体材料层，以填满该开口；以及 移除该第一层间绝缘层上的该第一导体材料层，以在该开口中形成该阱 区延伸导体层。3. 如权利要求2所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，其 中该第一导体材料层的材质包括钨、铜或铝。4. 如权利要求2所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，其 中移除该第 一层间绝缘层上的该第 一导体材料层的方法包括进行化学机械 抛光工艺。5. 如权利要求2所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，其 中在该第一层间绝缘层中形成该开口之后，及在该开口中形成该阱区延伸导 体层之前进一步包括形成黏着层/阻挡层。6. 如权利要求5所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，其 中该黏着层/阻挡层的材质为选自钽、氮化钽、钛与氮化钛所组成的组的其中之一。7. 如权利要求1所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，在形成该第一导电型延伸掺杂区之后，进一步包括进行快速热回火工艺。8. 如权利要求1所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，进 一步包括在该基底上电学连接该虚拟位线与该阱区延伸导体层的多个插塞。9. 如权利要求8所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，其中该插塞的形成方法包括在该基底上形成第二层间绝缘层；图案化该第二层间绝缘层与该第一层间绝缘层以形成暴露该阱区延伸导体层的多个插塞开口；在该第二层间绝缘层上形成第二导体材料层，并填满该插塞开口；以及移除该第二层间绝缘层上的部分该第二导体材料层。10. 如权利要求9所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，其中该第二导体材料层的材料包括钨、铜、铝或掺杂多晶硅。11. 如权利要求1所述的非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，在该第一层间绝缘层中形成该开口的方法包括在该第一层间绝缘层上形成图案化的掩模层；以该掩模层为掩模，移除部分该第一层间绝缘层以形成该开口；以及移除该掩模层。12. —种非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，包括 提供基底，该基底中已形成第一导电型阱区；在该基底中形成多个元件隔离结构，该元件隔离结构沿第一方向延伸； 在该基底上形成多个存储器单元行，各该存储器单元行包括第二导电型源极区与...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁伟哲，王炳尧，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]