磁阻效应元件、磁存储器、磁头及记录再生装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供可以谋求ＭＲ变化率提高的磁阻效应元件、磁存储器、磁头及磁记录再生装置。磁阻效应元件具有：磁化方向实质上被固定成一个方向的第１磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第２磁性层和设置在所述第１磁性层和所述第２磁性层之间的间隔层，所述第１磁性层和所述第２磁性层的至少任一层含有式Ｍ１↓［ａ］Ｍ２↓［ｂ］Ｘ↓［ｃ］（５≤ａ≤６８、１０≤ｂ≤７３、２２≤ｃ≤８５）所表示的磁性化合物，Ｍ１是选自Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ的至少一种元素，Ｍ２是选自Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ的至少一种元素，Ｘ是选自Ｎ、Ｏ、Ｃ的至少一种元素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁阻效应元件、搭载该磁阻效应元件的磁存储器、磁头及磁记录再生 装置。冃尿孜不近年来，硬盘驱动器(HDD: Hard Disk Drive)在进行着高速的小型化 高密度化，预 计今后也会进一步地高密度化。通过縮窄记录轨道(卜，5/夕)宽度，提高轨道密度，可 以实现HDD的高密度化。但是，轨道宽度若变狭窄，则所记录的磁化的大小、即记录信 号变小，则需要提高再生介质信号的MR头的再生灵敏度。最近，人们采用含有利用了巨大磁阻效应(GMR: Giant Magneto-Resistance effect)的 高灵敏度的自转阀膜的GMR头。自转阀膜是具有在2层强磁性层之间夹住非磁性间隔层 的三明治结构的层压膜，产生电阻变化的层压膜结构部位又被称为自旋依存散射单元。2 层强磁性层的其中一强磁性层(叫做固定层'或磁化固定层)的磁化方向被反强磁性层 等固定。另一强磁性层(叫做自由层'或磁化自由层)的磁化方向可因外部磁场的变化 而变化。在自旋阀膜中，通过2层强磁性层的磁化方向的相对角度的变化，得到很大的磁 阻效应。(如参照专利文献l)在使用自旋阀膜的磁阻效应元件中存在CIP(Cu本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻效应元件，其特征在于，具有磁化方向实质上被固定成一个方向的第１磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第２磁性层、和设置在所述第１磁性层和所述第２磁性层之间的间隔层，所述第１磁性层和所述第２磁性层的至少任一层含有式Ｍ１↓［ａ］Ｍ２↓［ｂ］Ｘ↓［ｃ］所表示的磁性化合物，Ｍ１是选自Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ的至少一种元素，Ｍ２是选自Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ的至少一种元素，Ｘ是选自Ｎ、Ｏ、Ｃ的至少一种元素，其中，５≤ａ≤６８、１０≤ｂ≤７３、２２≤ｃ≤８５。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-28 2006-2655501.一种磁阻效应元件，其特征在于，具有磁化方向实质上被固定成一个方向的第1磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第2磁性层、和设置在所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的间隔层，所述第1磁性层和所述第2磁性层的至少任一层含有式M1aM2bXc所表示的磁性化合物，M1是选自Co、Fe、Ni的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Mn的至少一种元素，X是选自N、O、C的至少一种元素，其中，5≤a≤68、10≤b≤73、22≤c≤85。2. —种磁阻效应元件，其特征在于，具有 磁化方向实质上固定成一个方向的第1磁性层、 磁化方向随外部磁场变化的第2磁性层、和 设置在所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的间隔层，所述第1磁性层和所述第2磁性层的至少任一层具有至少一层的强磁性薄膜层和至少一层的以式MlaM2bXe所表示的磁性化合物为主要成分的磁性化合物层的层压结构，Ml是选自Co、 Fe、 Ni的至少一种元素，M2是选自Ti、 V、 Cr、 Mn的至少一种元素， X是选自N、 O、 C的至少一种元素，其中，5^《68、 1(^1^73、 2&《85。3. 如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤庆彦，福泽英明，汤浅裕美，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]